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[導讀]全球手機芯片龍頭高通面臨產能吃緊,且競爭對手英特爾來勢洶洶,競爭壓力頗大,近期不得不思考尋找第2家晶圓代工廠合作,也因此在今年MWC,繼上回輝達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛暗指是臺積電28納米制程良率問題之后,再

全球手機芯片龍頭高通面臨產能吃緊,且競爭對手英特爾來勢洶洶,競爭壓力頗大,近期不得不思考尋找第2家晶圓代工廠合作,也因此在今年MWC,繼上回輝達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛暗指是臺積電28納米制程良率問題之后,再度成為客戶討論的對象。

至于今年積極挺入40、28納米的聯(lián)電,能否因此受惠?也備受關注。

全球繪圖芯片大廠輝達(NVIDIA)執(zhí)行長黃仁勛日前在電話會議上直言,本季度毛利率下滑幾乎都是因為28納米良率低于預期所導致。一語點出臺積電28納米良率偏低問題。

無獨有偶,全球手機芯片龍頭廠高通新產品,包括MWC上宣布新推出的新芯片Snapdragon S4 MSM8960處理器、第3代LTE芯片組新一代Gobi調制解調器芯片組MDM8225、MDM9225、與MDM9625,皆采用臺積電28納米制程,但面臨臺積電28納米產能吃緊,即便短期內不會轉單,但未來產品規(guī)劃上穩(wěn)定供應考量,尋找第2家晶圓代工廠已不得不進行。

聯(lián)電強調,今年是深耕的一年,預計資本支出增加至20億美元,并在法說會上明言,樂觀看待未來移動通信與運算市場的高階芯片需求,將完整布建28與40納米解決方案,聯(lián)電將把握竄起的機會。



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