NAND戰(zhàn)略（點擊放大）

系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略（點擊放大）
東芝代表執(zhí)行董事社長佐佐木則夫在2011年5月24日舉行的“2011財年經營方針說明會”上介紹了該公司的半導體業(yè)務經營戰(zhàn)略。佐佐木表示，對于NAND閃存，將強化產品力度和加快新一代產品的開發(fā)。再次強調了通過微細化技術領先競爭企業(yè)的方針。2011年4月開始樣品供貨的19nm產品，將從7月起量產。對于NAND閃存，“包括BiCS和下下一代三維存儲器在內均已納入產品化射程”（佐佐木）。

佐佐木社長還對即將到來的NAND閃存微細化極限發(fā)表了看法?！癗AND閃存的微細化終將遇到極限。我們在世界上最先成功開發(fā)出了被稱為1Xnm的19nm產品。其后微細化到1Ynm、1Znm水平的產品也已有實現的可能。但再往以后的情況則不明確。因此，我們已經做好了在進入2013年之前，向BiCS和再下一代的三維存儲器轉移的打算”（佐佐木）。

另一方面，為了強化SSD的競爭力，東芝除了在2011年投放三種企業(yè)服務器用SSD之外，還將全力發(fā)展與HDD的一體開發(fā)和技術知識積累。關于NAND閃存新工廠“Fab 5”，“目前廠房基本已經建成，今后將從2011年7月開始量產，8月開始供貨”（佐佐木）。

另一方面，關于系統(tǒng)LSI戰(zhàn)略，東芝將重新構建能夠應對市場行情變化的業(yè)務核心。為此將采取“開展無廠化”以及“強化基于圖像傳感器及模擬技術的收益基礎”這兩項對策。在無廠化方面，東芝計劃把300mm晶圓SoC的外包比例由2011年的50％提高到2013年的80％以上。在第二項方面，例如模擬及MCU，該公司將向高收益產品集中，把產品數量減少一半。（記者：大石 基之）