胡皓婷 目前臺(tái)系砷化鎵(GaAs)晶圓代工廠多耕耘HBT(Heterojunction Bipolar Transistor)以及pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor)制程。砷化鎵HBT的特性在于線性度與高電流增益，具功率放大倍率佳、待機(jī)耗電流低、低相位雜訊、單電源設(shè)計(jì)、體積小等特色。而主要應(yīng)用端含蓋手機(jī)、無(wú)線網(wǎng)路、藍(lán)芽、基地臺(tái)、光纖通訊、衛(wèi)星通訊等。另外，pHEMT其優(yōu)點(diǎn)則包含有超高頻(高頻操作可達(dá)100G Hz以上)及低雜訊等特性，低射頻雜訊、高頻率響應(yīng)、高切換速度與高功率操作，在高功率基地臺(tái)、低雜訊放大器及RF Switch上十分重要。

化合物半導(dǎo)體在通訊應(yīng)用市場(chǎng)上已占其重要且難以取代的地位，目前隨著高資料量傳輸?shù)男枨蟪砷L(zhǎng)下，未來(lái)砷化鎵元件市場(chǎng)成長(zhǎng)可期?，F(xiàn)階段，臺(tái)系供應(yīng)鏈中，除宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體等業(yè)者外，聯(lián)電集團(tuán)的聯(lián)電新投資事業(yè)公司也成立聯(lián)穎光電加入市場(chǎng)。(胡皓婷)