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SEMI：2011年臺(tái)灣晶圓廠投資上看70億美元

時(shí)間：2010-12-21 06:14:00

關(guān)鍵字： SEMI 晶圓廠半導(dǎo)體設(shè)備 LED

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[導(dǎo)讀]國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)估，臺(tái)灣2011年半導(dǎo)體投資可望接續(xù)今年屢破紀(jì)錄的氣勢(shì)，在先進(jìn)制程開發(fā)的帶領(lǐng)下，明年晶圓廠建置和技術(shù)研發(fā)投資金額上看70億美元，將連帶拉升晶圓產(chǎn)能。2011年因封測(cè)廠下修資本

國(guó)際半導(dǎo)體設(shè)備材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)預(yù)估，臺(tái)灣2011年半導(dǎo)體投資可望接續(xù)今年屢破紀(jì)錄的氣勢(shì)，在先進(jìn)制程開發(fā)的帶領(lǐng)下，明年晶圓廠建置和技術(shù)研發(fā)投資金額上看70億美元，將連帶拉升晶圓產(chǎn)能。2011年因封測(cè)廠下修資本支出，半導(dǎo)體設(shè)備投資金額將下降10%，不過今年仍可望突破100億美元。

圖為臺(tái)積電12寸晶圓產(chǎn)線。
SEMI Taiwan產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆表示，在28奈米(nm)制程開發(fā)成熟、新產(chǎn)能建置和新技術(shù)的驅(qū)動(dòng)下，臺(tái)灣2010年晶圓廠投資成長(zhǎng)率可望突破 120%，2011年投資金額更有機(jī)會(huì)從60億美元躍至70億美元，進(jìn)而促使臺(tái)灣地區(qū)晶圓產(chǎn)能超越全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)平均水準(zhǔn)。

SEMI預(yù)估，臺(tái)灣晶圓廠投資金額將連續(xù)3年維持全球占比約42%，雖然臺(tái)積電、聯(lián)電今年積極投資，但因其他大廠也動(dòng)作頻頻，包括全球晶圓 (GlobalFoundries)于德國(guó)、新加坡、美國(guó)新廠投資踴躍；三星(Samsung)在韓國(guó)、美國(guó)積極布建；中芯在中國(guó)大陸建廠等，因此，各地晶圓廠的投資比重情形無顯著消長(zhǎng)。

另外，2010年全球產(chǎn)值預(yù)計(jì)達(dá)325億美元的半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)，也是臺(tái)灣表現(xiàn)亮眼的類別。曾瑞榆表示，今年受先進(jìn)制程和三維(3D)封裝技術(shù)成長(zhǎng)的影響下，日月光、矽品等后段封測(cè)廠投資屢創(chuàng)新高，2010年臺(tái)灣整體半導(dǎo)體設(shè)備投資金額預(yù)計(jì)將超越100億美元的水準(zhǔn)。

曾瑞榆指出，雖然進(jìn)入2011年之后，臺(tái)灣面臨地區(qū)性轉(zhuǎn)移和封測(cè)廠下修資本支出的影響，半導(dǎo)體設(shè)備投資恐將滑落10%，但臺(tái)灣仍穩(wěn)居全球半導(dǎo)體設(shè)備最大的消費(fèi)國(guó)。預(yù)估全球未來兩年內(nèi)，廠房建置的數(shù)量將逐漸減少，2013～2015年可能面臨產(chǎn)能不足的危機(jī)，卻也蘊(yùn)藏強(qiáng)勁的反彈力道。

值得注意的是，SEMI預(yù)估2011年全球在發(fā)光二極體(LED)廠的投資可望從22.5億美元提升至27億美元，其中，臺(tái)灣投資預(yù)計(jì)可達(dá)8.3億美元，并以30%的市占率成為全球最大的LED投資國(guó)。

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