挑戰(zhàn)IBM領(lǐng)導(dǎo)地位 Soitec開發(fā)出SOI工藝
[導(dǎo)讀]法國的半導(dǎo)體工藝正在挑戰(zhàn)IBM在晶圓技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位。
二十年前,SOI(絕緣體硅)還是一項專門技術(shù)為軍事和航天應(yīng)用的技術(shù)。
兩法國研究所日前宣布，已開發(fā)出低風(fēng)險的SOI技術(shù)，并且正在商業(yè)化運作中，并且成立
法國的半導(dǎo)體工藝正在挑戰(zhàn)IBM在晶圓技術(shù)上的領(lǐng)導(dǎo)地位。
二十年前,SOI(絕緣體硅)還是一項專門技術(shù)為軍事和航天應(yīng)用的技術(shù)。
兩法國研究所日前宣布，已開發(fā)出低風(fēng)險的SOI技術(shù)，并且正在商業(yè)化運作中，并且成立了Soitec公司。該技術(shù)可將絕緣層導(dǎo)入至標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓中，具體實現(xiàn)方法是將硅片背面切割成一個光滑面，然后將兩塊晶圓粘合，中間層則為絕緣體，類似于漢堡包結(jié)構(gòu)。該技術(shù)對于所有SOI晶圓來說，具有重大意義。
IBM的競爭對手
目前Soitec已發(fā)展成為能夠與IBM并前匹敵的公司，其技術(shù)路線選擇了在CMOM上制作全耗盡型晶體管，其指出全耗盡型（FD fully depleted）晶體管在22nm SOI上具有最高效率。
CEA-Leti（法國原子能委員旗下的電子信息技術(shù)研究所）研發(fā)了High-K/金屬柵技術(shù)用于SOI技術(shù)，并且也發(fā)布了商業(yè)芯片用的設(shè)計及模擬EDA軟件。
潛在的FDSOI技術(shù)可以替代傳統(tǒng)的20nm及以下的工藝技術(shù)。
二十年前,SOI(絕緣體硅)還是一項專門技術(shù)為軍事和航天應(yīng)用的技術(shù)。
兩法國研究所日前宣布，已開發(fā)出低風(fēng)險的SOI技術(shù)，并且正在商業(yè)化運作中，并且成立了Soitec公司。該技術(shù)可將絕緣層導(dǎo)入至標(biāo)準(zhǔn)CMOS晶圓中，具體實現(xiàn)方法是將硅片背面切割成一個光滑面，然后將兩塊晶圓粘合，中間層則為絕緣體，類似于漢堡包結(jié)構(gòu)。該技術(shù)對于所有SOI晶圓來說，具有重大意義。
IBM的競爭對手
目前Soitec已發(fā)展成為能夠與IBM并前匹敵的公司，其技術(shù)路線選擇了在CMOM上制作全耗盡型晶體管，其指出全耗盡型（FD fully depleted）晶體管在22nm SOI上具有最高效率。
CEA-Leti（法國原子能委員旗下的電子信息技術(shù)研究所）研發(fā)了High-K/金屬柵技術(shù)用于SOI技術(shù)，并且也發(fā)布了商業(yè)芯片用的設(shè)計及模擬EDA軟件。
潛在的FDSOI技術(shù)可以替代傳統(tǒng)的20nm及以下的工藝技術(shù)。
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