力成董事長蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術率先達成熟階段，市場需求自然會浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝)

日本DRAM晶圓大廠爾必達(6665-JP)，臺灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21)日舉行TSV三方技術合作記者會，力成董事長蔡篤恭表示，電子產(chǎn)品逐漸朝輕薄短小趨勢走，3D IC堆棧技術已成市場主流，并可兼具高效能與低功耗的雙重利益，雖然短期內(nèi)仍看不到該技術對各廠營收之貢獻，但只要技術能及早到達成熟階段，市場需求自然就會浮現(xiàn)。

聯(lián)電方面則預估，2012年應用在3D IC上的制程技術TSV(Through-Silicon Via，直通硅晶穿孔)在28奈米制程就會開始有機會進入量產(chǎn)階段，初期產(chǎn)品可能會用在手機領域上。

蔡篤恭表示，3D IC與TSV技術之整合完全符合力成業(yè)務與技術上的策略，目前力成在Flash封裝上已能達到堆棧8個晶方的水平，可應用在智能型手機產(chǎn)品上，目前力成仍加緊腳步，致力開發(fā)16晶方及以上之堆棧技術，維持低封裝組合。

蔡篤恭強調，事實上力成早在2007年起就開始為邏輯客戶開發(fā)SIP(System In a Package，系統(tǒng)級封裝)，以Wire Bonding(打線接合)與SMT(表面黏著技術)的封裝技術組成包括FCCSP(晶圓級封裝)、Flip Chip(覆晶封裝)與被動組件封裝方式。

不過，蔡篤恭表示，SIP技術仍有功耗與效能表現(xiàn)的瓶頸所在，因此TSV技術能有效解決這個問題，藉由聯(lián)電與爾必達各別在邏輯與DRAM晶圓生產(chǎn)與研發(fā)上的領先地位，加上力成過去就有的DRAM/Flash封裝與SIP技術，將能成為最佳研發(fā)TSV技術的組合，未來該制程技術發(fā)展成熟后，力成將可為客戶提供最完整的SIP解決方案。

由于電子產(chǎn)品加速朝輕薄短小的方向發(fā)展，再加上便利攜帶與長效待機的功能需求逐漸成為市場主流，因此主控電子產(chǎn)品的IC芯片便不斷朝向輕薄短小的趨勢發(fā)展，由于SOC(整合單芯片)研發(fā)與后段封裝技術上難度較高，因此便有業(yè)者積極研發(fā)SIP封裝技術，而目前邏輯IC封測廠也早已切入此技術，其中日月光(2311-TW)更是很早就投入資金卡位，希望能加速縮小芯片尺寸，并在市場上占有一席之地。

三家合作將能擷取各家優(yōu)勢，爾必達是市場上最早開發(fā)出將3D TSV技術應用在8顆DRAM產(chǎn)品上，力成則是早在2007年就開發(fā)出SIP的完整解決方案，因此三方結合將能加速3D IC的發(fā)展速度，蔡篤恭強調，外界可能好奇市場何時成熟，何時對相關廠商業(yè)績有益，但此重要性并沒有比技術發(fā)展至成熟階段來得強烈，目前市場需求確實存在，技術也將朝此方向發(fā)展，因此目前應以技術到位為主要目標，及早在產(chǎn)業(yè)尚卡好優(yōu)勢位置，未來才可望搶攻這波商機。