力成董事長蔡篤恭今日表示，只要3D IC的TSV技術(shù)率先達(dá)成熟階段，市場需求自然會(huì)浮現(xiàn)。(巨亨網(wǎng)記者蔡宗憲攝)

日本DRAM晶圓大廠爾必達(dá)(6665-JP)，臺(tái)灣晶圓代工大廠聯(lián)電(2303-TW)以及DRAM封測大廠力成(6239-TW)今(21)日舉行TSV三方技術(shù)合作記者會(huì)，力成董事長蔡篤恭表示，電子產(chǎn)品逐漸朝輕薄短小趨勢走，3D IC堆棧技術(shù)已成市場主流，并可兼具高效能與低功耗的雙重利益，雖然短期內(nèi)仍看不到該技術(shù)對各廠營收之貢獻(xiàn)，但只要技術(shù)能及早到達(dá)成熟階段，市場需求自然就會(huì)浮現(xiàn)。

聯(lián)電方面則預(yù)估，2012年應(yīng)用在3D IC上的制程技術(shù)TSV(Through-Silicon Via，直通硅晶穿孔)在28奈米制程就會(huì)開始有機(jī)會(huì)進(jìn)入量產(chǎn)階段，初期產(chǎn)品可能會(huì)用在手機(jī)領(lǐng)域上。

蔡篤恭表示，3D IC與TSV技術(shù)之整合完全符合力成業(yè)務(wù)與技術(shù)上的策略，目前力成在Flash封裝上已能達(dá)到堆棧8個(gè)晶方的水平，可應(yīng)用在智能型手機(jī)產(chǎn)品上，目前力成仍加緊腳步，致力開發(fā)16晶方及以上之堆棧技術(shù)，維持低封裝組合。

蔡篤恭強(qiáng)調(diào)，事實(shí)上力成早在2007年起就開始為邏輯客戶開發(fā)SIP(System In a Package，系統(tǒng)級封裝)，以Wire Bonding(打線接合)與SMT(表面黏著技術(shù))的封裝技術(shù)組成包括FCCSP(晶圓級封裝)、Flip Chip(覆晶封裝)與被動(dòng)組件封裝方式。

不過，蔡篤恭表示，SIP技術(shù)仍有功耗與效能表現(xiàn)的瓶頸所在，因此TSV技術(shù)能有效解決這個(gè)問題，藉由聯(lián)電與爾必達(dá)各別在邏輯與DRAM晶圓生產(chǎn)與研發(fā)上的領(lǐng)先地位，加上力成過去就有的DRAM/Flash封裝與SIP技術(shù)，將能成為最佳研發(fā)TSV技術(shù)的組合，未來該制程技術(shù)發(fā)展成熟后，力成將可為客戶提供最完整的SIP解決方案。

由于電子產(chǎn)品加速朝輕薄短小的方向發(fā)展，再加上便利攜帶與長效待機(jī)的功能需求逐漸成為市場主流，因此主控電子產(chǎn)品的IC芯片便不斷朝向輕薄短小的趨勢發(fā)展，由于SOC(整合單芯片)研發(fā)與后段封裝技術(shù)上難度較高，因此便有業(yè)者積極研發(fā)SIP封裝技術(shù)，而目前邏輯IC封測廠也早已切入此技術(shù)，其中日月光(2311-TW)更是很早就投入資金卡位，希望能加速縮小芯片尺寸，并在市場上占有一席之地。

三家合作將能擷取各家優(yōu)勢，爾必達(dá)是市場上最早開發(fā)出將3D TSV技術(shù)應(yīng)用在8顆DRAM產(chǎn)品上，力成則是早在2007年就開發(fā)出SIP的完整解決方案，因此三方結(jié)合將能加速3D IC的發(fā)展速度，蔡篤恭強(qiáng)調(diào)，外界可能好奇市場何時(shí)成熟，何時(shí)對相關(guān)廠商業(yè)績有益，但此重要性并沒有比技術(shù)發(fā)展至成熟階段來得強(qiáng)烈，目前市場需求確實(shí)存在，技術(shù)也將朝此方向發(fā)展，因此目前應(yīng)以技術(shù)到位為主要目標(biāo)，及早在產(chǎn)業(yè)尚卡好優(yōu)勢位置，未來才可望搶攻這波商機(jī)。