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[導(dǎo)讀]聯(lián)電(2303)、爾必達(Elpida)及力成(6239)昨(21)日宣布,三方將結(jié)合在三維(3D)IC的設(shè)計、制造與封裝等優(yōu)勢,投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的3D IC完整解決方案,并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生

聯(lián)電(2303)、爾必達(Elpida)及力成(6239)昨(21)日宣布,三方將結(jié)合在三維(3D)IC的設(shè)計、制造與封裝等優(yōu)勢,投入開發(fā)整合邏輯芯片及動態(tài)隨機存取內(nèi)存(DRAM)的3D IC完整解決方案,并導(dǎo)入聯(lián)電的28奈米制程生產(chǎn),2012年首顆整合芯片將正式量產(chǎn)。

三家公司選定以硅晶圓穿孔(TSV)技術(shù)為基礎(chǔ),進行TSV 3D芯片開發(fā)。優(yōu)先切入整合基頻、射頻、儲存型閃存(NAND Flash)及DRAM等整合性芯片,搶食追求輕薄短小的手機及數(shù)字相機等消費性電子產(chǎn)品市場。

昨天三家公司由聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉、爾必達社長坂本幸雄及力成董事長蔡篤恭共同簽署技術(shù)合作協(xié)議。

孫世偉強調(diào),爾必達在聯(lián)電有多年的合作關(guān)系,去年首度以TSV技術(shù),成功開發(fā)80億字節(jié)的DRAM,聯(lián)電也完成28奈米邏輯技術(shù)與邏輯設(shè)計接口,力成則在內(nèi)存堆棧有深厚的技術(shù),透過三方在TSV的優(yōu)勢結(jié)合,將縮短提供TSV 3D芯片整體解決方案的時程,成為摩爾定律外的另一個選擇。

爾必達董事兼技術(shù)長安達隆郎表示,TVS技術(shù)最大的優(yōu)勢是可以在邏輯與DRAM組件間建立大量的I/O連結(jié),可大幅增加數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俾什⑶覝p少功率消耗,使新型式的高效能組件能夠運作,這項擇術(shù)必須有值得信賴的邏輯晶圓專工伙伴才能達成這個目標。

聯(lián)電副總暨先進技術(shù)開發(fā)處長簡山杰表示,針對TSV 3D芯片的前段制程研發(fā),聯(lián)電將與爾必達在日本共同開發(fā),未來生產(chǎn),若是聯(lián)電的客戶,將入在聯(lián)電臺灣的晶圓廠以28奈米先進制程生產(chǎn),封裝將由力成負責(zé)。



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