旺宏董座吳敏求：12吋廠明年1Q開始量產(chǎn)
[導(dǎo)讀]旺宏董事長吳敏求表示，預(yù)計2011年第1季新12吋晶圓廠可開始貢獻(xiàn)營運(yùn)，只將產(chǎn)能拉升至1萬水平，即可達(dá)到損益兩平，未來單月若投入2萬片產(chǎn)能，NOR Flash和ROM產(chǎn)品競爭力可大幅提升，預(yù)計12吋晶圓廠2010年的資本支出約新
旺宏董事長吳敏求表示，預(yù)計2011年第1季新12吋晶圓廠可開始貢獻(xiàn)營運(yùn)，只將產(chǎn)能拉升至1萬水平，即可達(dá)到損益兩平，未來單月若投入2萬片產(chǎn)能，NOR Flash和ROM產(chǎn)品競爭力可大幅提升，預(yù)計12吋晶圓廠2010年的資本支出約新臺幣200億元，未來NOR Flash產(chǎn)品的制程技術(shù)將從0.11微米轉(zhuǎn)進(jìn)75奈米制程，在ROM產(chǎn)品上，隨著大客戶推出3D手持電玩新產(chǎn)品，可提升出貨量。
旺宏12吋晶圓廠分為兩階段提升產(chǎn)能，2011年初將先提升至1萬片產(chǎn)能，只要達(dá)到此目標(biāo)，12吋晶圓廠即可達(dá)到損益兩平水平。8吋晶圓廠的資本支出約18到20億元，預(yù)計12吋晶圓廠要提升至1萬~1.2萬片，要準(zhǔn)備120億元做擴(kuò)充，加上購買機(jī)器設(shè)備，2010年12吋晶圓廠的資本支出約200億元。
吳敏求表示，12吋晶圓廠第2階段將提升至2萬片，屆時成本可大幅提升，增加產(chǎn)業(yè)競爭力。他也強(qiáng)調(diào)，目前手上現(xiàn)金約現(xiàn)金275億元，可自行負(fù)擔(dān)擴(kuò)產(chǎn)需求，2010年只會辦理聯(lián)貸來募資。
吳敏求進(jìn)一步表示，現(xiàn)在NOR Flash市場供不應(yīng)求嚴(yán)重，旺宏的產(chǎn)能都已達(dá)到滿載，只能等新廠在2011年初加入營運(yùn)，而全球PC和消費(fèi)性電子產(chǎn)品的終端需求大幅成長，例如英特爾(Intel)Capella 1顆變2顆，至少要用到32Mb芯片! ，容量需求大幅提升。
以目前出貨量來看，NOR Flash因?yàn)槿萘枯^低，出貨量龐大，2010年第1季出貨量占公司整體出貨量90%，ROM的容量較高，因此占出貨量比重約10%。
此外，6吋晶圓廠的代工訂單也是滿載，接下來成長相當(dāng)強(qiáng)勁。
在ROM產(chǎn)品線方面，2010年旺宏的大客戶任天堂也會推出新產(chǎn)品3D手持電玩產(chǎn)品，對于ROM容量的需求大幅提升，也是2010年相當(dāng)有商機(jī)的產(chǎn)品線。
在制程技術(shù)方面，NOR Flash以0.1= `米制程技術(shù)為主，2010年將提升0.11奈米，0.11微米比重從上季9%成長至本季已達(dá)14%，預(yù)計下半年NOR Flash產(chǎn)品的0.11微米制程技術(shù)可達(dá)50~60%，接下來會有75奈米制程技術(shù)接棒。在主流產(chǎn)品0.13奈米制程方面，2010年第1季占42%。
旺宏12吋晶圓廠分為兩階段提升產(chǎn)能，2011年初將先提升至1萬片產(chǎn)能，只要達(dá)到此目標(biāo)，12吋晶圓廠即可達(dá)到損益兩平水平。8吋晶圓廠的資本支出約18到20億元，預(yù)計12吋晶圓廠要提升至1萬~1.2萬片，要準(zhǔn)備120億元做擴(kuò)充，加上購買機(jī)器設(shè)備，2010年12吋晶圓廠的資本支出約200億元。
吳敏求表示，12吋晶圓廠第2階段將提升至2萬片，屆時成本可大幅提升，增加產(chǎn)業(yè)競爭力。他也強(qiáng)調(diào)，目前手上現(xiàn)金約現(xiàn)金275億元，可自行負(fù)擔(dān)擴(kuò)產(chǎn)需求，2010年只會辦理聯(lián)貸來募資。
吳敏求進(jìn)一步表示，現(xiàn)在NOR Flash市場供不應(yīng)求嚴(yán)重，旺宏的產(chǎn)能都已達(dá)到滿載，只能等新廠在2011年初加入營運(yùn)，而全球PC和消費(fèi)性電子產(chǎn)品的終端需求大幅成長，例如英特爾(Intel)Capella 1顆變2顆，至少要用到32Mb芯片! ，容量需求大幅提升。
以目前出貨量來看，NOR Flash因?yàn)槿萘枯^低，出貨量龐大，2010年第1季出貨量占公司整體出貨量90%，ROM的容量較高，因此占出貨量比重約10%。
此外，6吋晶圓廠的代工訂單也是滿載，接下來成長相當(dāng)強(qiáng)勁。
在ROM產(chǎn)品線方面，2010年旺宏的大客戶任天堂也會推出新產(chǎn)品3D手持電玩產(chǎn)品，對于ROM容量的需求大幅提升，也是2010年相當(dāng)有商機(jī)的產(chǎn)品線。
在制程技術(shù)方面，NOR Flash以0.1= `米制程技術(shù)為主，2010年將提升0.11奈米，0.11微米比重從上季9%成長至本季已達(dá)14%，預(yù)計下半年NOR Flash產(chǎn)品的0.11微米制程技術(shù)可達(dá)50~60%，接下來會有75奈米制程技術(shù)接棒。在主流產(chǎn)品0.13奈米制程方面，2010年第1季占42%。
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Flash Memory 是一種非易失性的存儲器。在嵌入式系統(tǒng)中通常用于存放系統(tǒng)、應(yīng)用和數(shù)據(jù)等。在 PC 系統(tǒng)中，則主要用在固態(tài)硬盤以及主板 BIOS 中。
關(guān)鍵字： Flash 存儲器 嵌入式系統(tǒng)
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