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[導讀]臺灣臺積電(TSMC)在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上,宣布將跳過22nm工藝節(jié)點,直接轉向20nm節(jié)點。據稱,直接轉向20nm工藝節(jié)點的背景,是因為確立了圖形(Patterning)技術及布

臺灣臺積電(TSMC)在美國加利福尼亞州圣何塞舉行的“TSMC 2010 Technology Symposium”上,宣布將跳過22nm工藝節(jié)點,直接轉向20nm節(jié)點。據稱,直接轉向20nm工藝節(jié)點的背景,是因為確立了圖形(Patterning)技術及布局設計方法等。

宣布這一消息的臺積電研究資深發(fā)展副總裁蔣尚義還透露,2012年下半年將開始20nm工藝的風險性量產。并且,此次該公司還表示,20nm工藝將優(yōu)先用于平板晶體管,而非FinFET之類的三維晶體管。似乎還對工藝細節(jié)作了改進。

臺積電稱,將對諸如高介電率(high-k)材料、金屬柵極、應變硅、銅布線及低介電率(low-k)層間布線絕緣膜等采用新技術。另外,蔣尚義還表示,“臺積電已驗證,在FinFET及高遷移率元件等其他晶體管上采用20nm工藝的可能性也很高”。(記者:小島 郁太郎)


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