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Kilopass在TSMC 40nm與45nm低功率工藝中提供邏輯非易失性存儲(chǔ)器

時(shí)間：2010-03-26 23:57:00

關(guān)鍵字： OPA TSMC 非易失性存儲(chǔ)器低功率

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[導(dǎo)讀]加州圣塔克拉拉--(美國(guó)商業(yè)資訊)--半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商Kilopass Technology Inc. 今天宣布，該公司的XPM?嵌入式一次性可編程 (OTP) 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)率先在TSMC? 40nm和

加州圣塔克拉拉--(美國(guó)商業(yè)資訊)--半導(dǎo)體邏輯非易失性存儲(chǔ)器 (NVM) 知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 領(lǐng)域的領(lǐng)先供應(yīng)商Kilopass Technology Inc. 今天宣布，該公司的XPM?嵌入式一次性可編程 (OTP) 非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)率先在TSMC? 40nm和45nm低功率工藝技術(shù)中完成TSMC IP-9000四級(jí)認(rèn)證與偏差鑒定。此外，Kilopass 40/45nm一次性可編程技術(shù)的早期采用客戶也已經(jīng)成功完成設(shè)計(jì)定案。在與標(biāo)準(zhǔn)的邏輯工藝整合方面，Kilopass基于邏輯的XPM一次性可編程技術(shù)無需另加成本，是市面上針對(duì)該行業(yè)最先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的領(lǐng)先非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

臺(tái)積電（TSMC）知識(shí)產(chǎn)權(quán)組合營(yíng)銷部副總監(jiān)Dan Kochpatcharin表示：“我們很高興能夠與Kilopass合作，從而為我們客戶40/45nm方面的知識(shí)產(chǎn)權(quán)需求提供支持。Kilopass為我們那些向40nm技術(shù)升級(jí)的無線移動(dòng)與機(jī)頂盒客戶提供了及時(shí)的支持，讓他們能夠獲得高性能、低功率以及高整合度?！?/P>

Kilopass工程部副總裁Lee Cleveland指出：“我們與規(guī)模最大的純晶圓半導(dǎo)體代工廠臺(tái)積電密切合作，確保我們的技術(shù)能夠?yàn)槲覀兦把氐脑O(shè)計(jì)客戶所用。我們先進(jìn)的低功率工藝節(jié)點(diǎn)非易失性存儲(chǔ)器知識(shí)產(chǎn)權(quán)技術(shù)的推出進(jìn)一步提高了我們的能力，滿足移動(dòng)與消費(fèi)應(yīng)用對(duì)性能和功率的嚴(yán)格要求。我們非常激動(dòng)能夠成為首個(gè)在臺(tái)積電的45nm/40nm工藝節(jié)點(diǎn)上提供邏輯一次性可編程存儲(chǔ)器的知識(shí)產(chǎn)權(quán)提供商?！?/P>

基于邏輯的XPM?一次性可編程技術(shù)與工藝技術(shù)成比例。與其他的非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)相比，Kilopass 的一次性可編程晶片面積與編程時(shí)間隨著幾何面積的縮小而顯著減少。XPM?系列的配置選項(xiàng)包括密度、讀取電壓、程序/讀出總線寬度以及電荷泵，以滿足不同的設(shè)計(jì)需求。

面市情況

Kilopass XPM?一次性可編程技術(shù)在臺(tái)積電推出，適用范圍為180nm至40nm。

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