日前,從AMD拆分出去的晶圓廠——GlobalFoundries公司表示,其設在德國德累斯頓的Fab1工廠將負責22nm制程工藝的開發(fā),試產以及部分前期量產。不過目前還不清楚 GlobalFoundries的22nm制程會不會放棄原有在28/32nm制程產品上使用的Gate-first HKMG工藝,改用新的工藝進行制作。
據透露,在GlobalFoundries設在紐約州的在建Fab 8廠房正式投入使用之前,德國Fab1工廠將是公司45/40nm以及32/28nm制程產品的主力廠,而Fab8建成后則將主要負責22nm及更高級別制程產品的生產。GlobalFoundries的Fab1工廠是從原屬AMD公司的Fab30/Fab36兩間廠房合并而來。

目前GlobalFoundries Fab1工廠的主要產品是基于SOI工藝的45nm制程高性能芯片,不過GlobalFoundries很快便要開始將Fab1的產品制程轉向32/28nm SOI制程,在這種32/28nm制程中,仍然使用的是Gate-first工藝。
根據GlobalFoundries公司的計劃,Fab1工廠將于今年7月份開始正式量產32nm制程 SOI HKMG產品,而28nm體硅制程 HKMG產品則將于9月底開始導入。這個時間點與另外一家同屬IBM芯片制造技術聯(lián)盟的成員三星計劃開始量產28nm制程芯片的日期基本重合。
據GlobalFoundries公司Fab1工廠總經理Udo Nothelfer表示:“我們將在Fab1工廠以及其它場所進行22nm制程產品的研發(fā),試產和前期量產工作?!彼⒈硎颈M管目前GlobalFoundries還在積極推進Fab8工廠的興建進度,但Fab8恐怕無法在2012年下半年之前開始正式投入使用,而按公司的計劃,22nm制程產品的推出日期則被定在了這個日期之前。
由于GlobalFoundries隸屬于IBM牽頭組織的技術聯(lián)盟,該聯(lián)盟的成員包括英飛凌,NEC,三星,意法半導體,東芝等廠商,因此Udo Nothelfer所說的“其它場所”應該也包括這些廠商旗下的工廠。