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[導(dǎo)讀]可編程邏輯組件大廠賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產(chǎn)下一世代的可編程邏輯門陣列(FPGA)

可編程邏輯組件大廠賽靈思(Xilinx)昨(23)日宣布,將采用臺積電(2330)高效能(HPL)及三星電子低功耗(LPMZ)等28奈米高介電金屬閘極(High-K Metal-Gate,HKMG)制程,生產(chǎn)下一世代的可編程邏輯門陣列(FPGA)芯片。至于與賽靈思合作逾10年的聯(lián)電(2303),在28奈米合作案上暫時出局,但仍是賽靈思65奈米及40奈米FPGA芯片最大代工廠。

賽靈思昨日在分析師會議后,對外宣布將在今年推出新一代28奈米FPGA芯片及設(shè)計平臺,全新平臺的功耗只有前一代40奈米平臺的一半,容量卻高出兩倍。賽靈思指出,透過選擇一種高效能與低功耗的制程技術(shù),可讓產(chǎn)品更多元的通用型可擴充架構(gòu),將最大化28奈米制程節(jié)點的價值,提供顧客具備特殊應(yīng)用芯片(ASIC)等級能力的FPGA組件,以符合其成本與電力預(yù)算,同時可藉由簡單的設(shè)計移轉(zhuǎn)與再利用的硅智財(IP),提升工程師的生產(chǎn)力。

賽靈思為了加速28奈米FPGA的推出時間,在經(jīng)過重新評估后,決定下單臺積電及三星,合作逾10年的聯(lián)電則在此一世代暫時出局。賽靈思可編程平臺開發(fā)事業(yè)部資深副總裁Victor Peng證實,28奈米世代的FPGA芯片,已決定選擇臺積電與三星電子的高效能與低功耗HKMG制程。

賽靈思資深副總裁Victor Peng解釋,對于28奈米制程節(jié)點來說,靜態(tài)功率往往是組件總體功率消耗非常重要的一部份,在某些情況中更成為掌控成敗的關(guān)鍵。為了達到最大的功率效率,制程的選擇至為關(guān)鍵,因為它能控制功耗,來驅(qū)動更高的系統(tǒng)效能使用性與功能。賽靈思為下一世代FPGA,選擇了臺積電與三星電子為晶圓代工伙伴,就是要將靜態(tài)功耗降至最低,在進入28奈米制程之時,不用擔(dān)心犧牲效能與功能性的優(yōu)勢。

聯(lián)電雖然此次未獲賽靈思青睞,繼續(xù)拿下28奈米FPGA代工訂單,但是現(xiàn)在量產(chǎn)中的65奈米及40奈米芯片,仍將大量委由聯(lián)電代工。聯(lián)電指出,現(xiàn)在仍在沖刺65奈米及40奈米產(chǎn)能,28奈米仍在投資階段,今年不會量產(chǎn),因此尊重客戶的策略考慮,但聯(lián)電與賽靈思間的合作關(guān)系仍未改變。

市場人士認(rèn)為,賽靈思新增臺積電為28奈米制程FPGA芯片重要合作伙伴,目的是要縮短與競爭對手間的技術(shù)差距,聯(lián)電未來只要能夠追趕上臺積電或三星的技術(shù)研發(fā)進度,仍然有機會贏回賽靈思FPGA代工訂單。



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