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臺(tái)積電將低功耗高k金屬柵工藝納入28納米技術(shù)藍(lán)圖

時(shí)間：2009-08-27 06:34:00

關(guān)鍵字：低功耗臺(tái)積電納米技術(shù) 金屬

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[導(dǎo)讀]臺(tái)積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。臺(tái)積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)

臺(tái)積電24日宣布已將低耗電工藝納入28納米高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate，HKMG)工藝的技術(shù)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)(Risk Production)。

臺(tái)積電自2008年九月發(fā)表28納米技術(shù)以來(lái)，技術(shù)的發(fā)展與進(jìn)入量產(chǎn)的時(shí)程皆按預(yù)期計(jì)劃進(jìn)行。就試產(chǎn)時(shí)程順序而言，低耗電氮氧化硅(簡(jiǎn)稱28LP)工藝預(yù)計(jì)于2010年第一季底進(jìn)行試產(chǎn)，高效能高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HP)工藝則預(yù)計(jì)于2010年第二季底開始試產(chǎn)，而低耗電高介電層/金屬閘(簡(jiǎn)稱28HPL)工藝的試產(chǎn)時(shí)程將繼前兩者之后推出，于2010年第三季進(jìn)行試產(chǎn)。

臺(tái)積電采用gate-last方法的28HPL工藝是28HP工藝的延伸，強(qiáng)調(diào)低耗電、低漏電、但仍能維持中高效能。至于28HPL工藝則適用于行動(dòng)電話、智能上網(wǎng)本(smart netbook)、無(wú)線通訊、可攜式消費(fèi)性電子等多種的低耗電應(yīng)用。

28HPL工藝有完備的元件支援，適用于通用型市場(chǎng)應(yīng)用的系統(tǒng)單晶片(SoC)平臺(tái)，與28LP工藝在特色上各有所強(qiáng)。28LP因延伸自氮氧化硅(SiON)工藝，因而成本更低、且有利于快速上市，尤其適用于手機(jī)與手持裝置的應(yīng)用。

此外，臺(tái)積電于2008年九月宣布之28HP工藝亦采用gate-last 方法，適合中央處理器(CPU)、繪圖處理器(GPU)、芯片組(Chipset)與可程式化閘陣列(FPGA)、游戲主機(jī)與行動(dòng)計(jì)算等高效能導(dǎo)向的應(yīng)用。

臺(tái)積電研究發(fā)展副總經(jīng)理孫元成博士表示：“在技術(shù)發(fā)展的過(guò)程中，我們采用gate-last的方式來(lái)發(fā)展28HPL相關(guān)技術(shù)，就其在電晶體特性、利于高階與低階應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)及可制造性的這些方面，都比gate-first方法來(lái)得好。”

臺(tái)積電先進(jìn)技術(shù)事業(yè)資深副總經(jīng)理劉德音博士表示：“在HKMG工藝中的低耗電應(yīng)用上，我們已與客戶共同發(fā)展了一段時(shí)間。將28HPL納入28納米工藝系列，再加上28LP與28HP兩項(xiàng)工藝，代表臺(tái)積電目前提供給業(yè)界的是最全面的28納米工藝組合。”

為了將28納米工藝的功效在全系列各式不同客戶產(chǎn)品中充分發(fā)揮，臺(tái)積電已與客戶和設(shè)計(jì)伙伴密切合作，在我們的開放創(chuàng)新平臺(tái)(Open Innovation Platform，OIP)上提供完備的設(shè)計(jì)架構(gòu)。開放創(chuàng)新平臺(tái)系由臺(tái)積電主導(dǎo)，并開放給客戶與伙伴參與。

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 3nm

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關(guān)鍵字：臺(tái)積電 16nm 俄羅斯 S1000 芯片

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關(guān)鍵字：專利侵權(quán) 三星臺(tái)積電高通公司 337調(diào)查 USITC

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