中國科學院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國本土設計與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。

根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導工藝研發(fā)？？中心表示，這項研發(fā)專案并結(jié)合來自北京大學、清華大學、復旦大學以及中科院微系統(tǒng)所的研究人員們經(jīng)過3年的共同努力，于近期取得了突破性進展。

針對22nm CMOS技術(shù)節(jié)點的挑戰(zhàn)，該產(chǎn)學研發(fā)團隊在N型和P型MOS 電容上取得了EOT≦8.5 、漏電流降低3個數(shù)量級以及金屬閘主動功函數(shù)距矽晶能隙距離≦0.2eV的成果，成功研發(fā)出元件性能進一步提升的22nm MOSFET元件。

中科院微電子研究所與微系統(tǒng)所、北京大學、清華大學、復旦大學的開發(fā)團隊們已完成了1369項專利申請(國際專利申請424項)，其中高K/金屬閘極制程及相關(guān)專利、金屬堆疊結(jié)構(gòu)及其它專利已開始在中國制造廠導入開發(fā)。

中科院指出，導入中國自行開發(fā)的22nm IC技術(shù)，將可為中國節(jié)省進口國外晶片或制程技術(shù)的龐大費用，并提升中國國產(chǎn)IC的競爭力。

22/20-nm先進制程技術(shù)才剛導入商用領(lǐng)域，該技術(shù)之以受到重視要在于它能為智慧型手機與平板電腦降低功耗，從而實現(xiàn)更長的電池壽命。然而，中國在22nm電晶體技術(shù)開發(fā)道路上約落后西方2-4年。英特爾(Intel)先前已量產(chǎn)22nm FinFET 制程元件，而臺積電(TSMC)也預計將在2013年量產(chǎn)20nm 平面CMOS 制程。

多年來，在CoCom輸出條款以及Wassennaar協(xié)定的限制下，中國先進電子制造技術(shù)領(lǐng)域一直因為無法取得外來高科技產(chǎn)品與技術(shù)而使其發(fā)展受阻。然而，近年來，中國已透過一系列的外來制技術(shù)授權(quán)以及自我教育而逐漸迎頭趕上。中國本土的晶圓代工廠中芯國際(SMIC)目前已有能力提供商用40nm CMOS制程。

根據(jù)中國新華社的報導，中國展開先進22nm電晶體制造屬于2009年國家重大科技專項的一部份。