[導讀]奧地利微電子公司晶圓代工業(yè)務部11月13日宣布將于2014年向用戶推出快速、低成本的IC原型設計服務，該項目被稱為多項目晶圓（MPW）。多項目原型設計將不同客戶的多種設計需求融入單片晶圓設計中，由于晶圓的制造費用由
奧地利微電子公司晶圓代工業(yè)務部11月13日宣布將于2014年向用戶推出快速、低成本的IC原型設計服務，該項目被稱為多項目晶圓（MPW）。多項目原型設計將不同客戶的多種設計需求融入單片晶圓設計中，由于晶圓的制造費用由眾多客戶均攤，因此該項服務將幫助晶圓代工客戶有效降低生產(chǎn)成本。
奧地利微電子世界領先的MPW服務提供0.18µm和0.35µm專業(yè)晶圓生產(chǎn)制程。為了提供給客戶領先的模擬半導體工藝技術以及生產(chǎn)服務，奧地利微電子提供四種0.18um CMOS (C18)多項目晶圓制程，同時提供四種領先的0.18um高壓CMOS (H18) 多項目晶圓制程。H18工藝技術基于IBM業(yè)界公認的0.18μm CMOS工藝CMOS7RF，是業(yè)界首個可實現(xiàn)射頻（RF）集成和高密度片上系統(tǒng)芯片的制程，非常適合應用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療領域的智能傳感器、傳感器接口設備、智能儀表、工業(yè)和建筑控制器以及LED光控裝置。
奧地利微電子預計2014年將提供14批次與臺積電的0.35µm CMOS生產(chǎn)制程兼容的多項目晶圓制造服務，包括20V CMOS制程，非常適合電源管理產(chǎn)品以及顯示驅動器類應用；針對汽車和工業(yè)應用優(yōu)化的50V CMOS制程，而120V模塊可滿足傳感器及傳感器接口芯片中高電壓應用的需求。領先的高壓CMOS生產(chǎn)制程新增了嵌入式閃存功能，豐富了奧地利微電子的多項目晶圓服務產(chǎn)品系列。CMOS與0.35µm SiGe-BiCMOS技術的有效兼容使射頻電路設計的工作頻率高達7GHz，并且能在單塊ASIC中添加高密度數(shù)字組件。
2014年，奧地利微電子將通過與CMP-TIMA、Europractice、 Fraunhofer IIS和Mosis等長期合作企業(yè)的合作，實現(xiàn)近150批次多項目晶圓制造服務。日本客戶也可以通過奧地利微電子在日本的合作伙伴——Toppan Technical Design Center公司及Dai Nippon LSI設計公司參與該項目。
為了更好的利用MPW服務，奧地利微電子公司的晶圓代工客戶可在指定日期前將完整的GDSII數(shù)據(jù)發(fā)送至奧地利微電子公司。采用CMOS制程的客戶通常將在8周左右收到未經(jīng)測試的封裝樣品或裸片；采用高電壓CMOS、SiGe-BiCMOS以及嵌入式閃存制程生產(chǎn)的樣片將于12周左右遞送至客戶手中。
奧地利微電子提供的基于Cadence、Mentor Graphics和Agilent ADS設計環(huán)境的hitkit開發(fā)套件支持所有制程的開發(fā)設計。該設計套件提供完整的標準單元、周邊設備單元以及通用模擬器件單元，如比較器、運算放大器、低功率模數(shù)轉換器以及低功率數(shù)模轉換器。定制的模擬和射頻設備、Assura 和Calibre物理驗證規(guī)則集合以及精準的特色電路仿真模型使復雜的高性能混合信號IC設計也能快速實現(xiàn)。除了標準的原型服務之外，奧地利微電子還提供先進的模擬IP、存儲器（RAM或ROM）設計服務以及陶瓷或塑料封裝服務?！?
奧地利微電子世界領先的MPW服務提供0.18µm和0.35µm專業(yè)晶圓生產(chǎn)制程。為了提供給客戶領先的模擬半導體工藝技術以及生產(chǎn)服務，奧地利微電子提供四種0.18um CMOS (C18)多項目晶圓制程，同時提供四種領先的0.18um高壓CMOS (H18) 多項目晶圓制程。H18工藝技術基于IBM業(yè)界公認的0.18μm CMOS工藝CMOS7RF，是業(yè)界首個可實現(xiàn)射頻（RF）集成和高密度片上系統(tǒng)芯片的制程，非常適合應用于汽車、工業(yè)及醫(yī)療領域的智能傳感器、傳感器接口設備、智能儀表、工業(yè)和建筑控制器以及LED光控裝置。
奧地利微電子預計2014年將提供14批次與臺積電的0.35µm CMOS生產(chǎn)制程兼容的多項目晶圓制造服務，包括20V CMOS制程，非常適合電源管理產(chǎn)品以及顯示驅動器類應用；針對汽車和工業(yè)應用優(yōu)化的50V CMOS制程，而120V模塊可滿足傳感器及傳感器接口芯片中高電壓應用的需求。領先的高壓CMOS生產(chǎn)制程新增了嵌入式閃存功能，豐富了奧地利微電子的多項目晶圓服務產(chǎn)品系列。CMOS與0.35µm SiGe-BiCMOS技術的有效兼容使射頻電路設計的工作頻率高達7GHz，并且能在單塊ASIC中添加高密度數(shù)字組件。
2014年，奧地利微電子將通過與CMP-TIMA、Europractice、 Fraunhofer IIS和Mosis等長期合作企業(yè)的合作，實現(xiàn)近150批次多項目晶圓制造服務。日本客戶也可以通過奧地利微電子在日本的合作伙伴——Toppan Technical Design Center公司及Dai Nippon LSI設計公司參與該項目。
為了更好的利用MPW服務，奧地利微電子公司的晶圓代工客戶可在指定日期前將完整的GDSII數(shù)據(jù)發(fā)送至奧地利微電子公司。采用CMOS制程的客戶通常將在8周左右收到未經(jīng)測試的封裝樣品或裸片；采用高電壓CMOS、SiGe-BiCMOS以及嵌入式閃存制程生產(chǎn)的樣片將于12周左右遞送至客戶手中。
奧地利微電子提供的基于Cadence、Mentor Graphics和Agilent ADS設計環(huán)境的hitkit開發(fā)套件支持所有制程的開發(fā)設計。該設計套件提供完整的標準單元、周邊設備單元以及通用模擬器件單元，如比較器、運算放大器、低功率模數(shù)轉換器以及低功率數(shù)模轉換器。定制的模擬和射頻設備、Assura 和Calibre物理驗證規(guī)則集合以及精準的特色電路仿真模型使復雜的高性能混合信號IC設計也能快速實現(xiàn)。除了標準的原型服務之外，奧地利微電子還提供先進的模擬IP、存儲器（RAM或ROM）設計服務以及陶瓷或塑料封裝服務?！?
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