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[導(dǎo)讀]存儲(chǔ)器模組廠3月?tīng)I(yíng)收均飆高,法人推估營(yíng)收月增率平均達(dá)3~6成,首季獲利普遍優(yōu)于去年第4季,至少都有4~5成的跳升空間。今年首季DRAM及NAND快閃存儲(chǔ)器價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲,季度漲幅高達(dá)4~7成,其中3月價(jià)格漲幅最為驚人,單

存儲(chǔ)器模組廠3月?tīng)I(yíng)收均飆高,法人推估營(yíng)收月增率平均達(dá)3~6成,首季獲利普遍優(yōu)于去年第4季,至少都有4~5成的跳升空間。

今年首季DRAMNAND快閃存儲(chǔ)器價(jià)格強(qiáng)勢(shì)上漲,季度漲幅高達(dá)4~7成,其中3月價(jià)格漲幅最為驚人,單月平均漲幅即達(dá)3成,存儲(chǔ)器模組廠3月?tīng)I(yíng)收自然也是水漲船高。

今年第1季本為傳統(tǒng)淡季,但DRAM及NAND價(jià)格卻出現(xiàn)飆漲行情。據(jù)悉,存儲(chǔ)器市場(chǎng)去年經(jīng)歷了大廠整并及殺價(jià)競(jìng)爭(zhēng),所幸臺(tái)灣存儲(chǔ)器模組廠去年均積極調(diào)整產(chǎn)品線并進(jìn)行轉(zhuǎn)型,已公告的去年財(cái)報(bào)全都出現(xiàn)獲利。今年首季以來(lái),DRAM及NAND廠因有效控制產(chǎn)出,加上行動(dòng)裝置需求強(qiáng)勁,如Mobile DRAM強(qiáng)勁需求去化了標(biāo)準(zhǔn)型DRAM過(guò)剩產(chǎn)能,NAND則因搭載容量放大而出現(xiàn)供不應(yīng)求。

根據(jù)集邦及模組廠提供報(bào)價(jià),主流4Gb DDR3原廠顆?,F(xiàn)貨價(jià)在3月份由2.5美元漲到3.4美元,單月漲幅高達(dá)36%,首季漲幅則達(dá)50%。在NAND芯片部份,主流的32Gb NAND MLC顆?,F(xiàn)貨價(jià)3月份價(jià)格由3.1美元漲到4.1美元,單月漲幅超過(guò)3成,缺貨嚴(yán)重的32Gb NAND TLC則在農(nóng)歷年后飆漲到3.8美元,漲幅高達(dá)9成。

受惠于DRAM及NAND在3月價(jià)格大漲,已帶動(dòng)DRAM模組、記憶卡、優(yōu)盤(pán)等終端產(chǎn)品售價(jià)同步調(diào)漲,因此,模組廠3月?tīng)I(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)能十足。法人表示,模組廠3月?tīng)I(yíng)收普遍來(lái)看均將超過(guò)元月水平,因此營(yíng)收月增率平均將達(dá)3~6成。

事實(shí)上,去年第4季存儲(chǔ)器市況能見(jiàn)度差,加上DRAM及NAND芯片廠有年底作帳壓力,模組廠去年第4季或多或少都有替芯片原廠擔(dān)下不少庫(kù)存,但隨著DRAMNAND價(jià)格在首季出現(xiàn)強(qiáng)勁飆漲行情,模組廠均直接受惠。法人指出,模組業(yè)者本季毛利率將有明顯拉升,第1季獲利至少都可較去年第4季增加4~5成。
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