燦芯半導(dǎo)體研發(fā)出USB 2.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）

時(shí)間：2012-09-28 10:02:34

關(guān)鍵字： USB 半導(dǎo)體中芯國際器件

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[導(dǎo)讀]國際領(lǐng)先的ASIC設(shè)計(jì)公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商，燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”）今日宣布基于中芯國際集成電路制造有限公司的0.11微米和0.13微米工藝平臺(tái)成功開發(fā)了USB 2.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）。該

國際領(lǐng)先的ASIC設(shè)計(jì)公司及一站式服務(wù)供應(yīng)商，燦芯半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“燦芯半導(dǎo)體”）今日宣布基于中芯國際集成電路制造有限公司的0.11微米和0.13微米工藝平臺(tái)成功開發(fā)了USB 2.0物理層設(shè)計(jì)（PHY）。

該設(shè)計(jì)為采用USB 2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更經(jīng)濟(jì)的解決方案。燦芯半導(dǎo)體的USB 2.0物理層設(shè)計(jì)同時(shí)支持器件和主機(jī)應(yīng)用的On-The-Go(OTG)規(guī)范。

為了取得比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品擁有更小的芯片尺寸和更低的功耗，燦芯半導(dǎo)體的工程師們?cè)赑LL、I/O和其它模塊的設(shè)計(jì)上都做了極大的改善。該新的物理層設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)也能加快USB物理層IP的開發(fā)用于中芯國際的更先進(jìn)工藝制程。（責(zé)編：陶?qǐng)A秀）