臺灣《電子時報》報道，業(yè)內(nèi)消息來源稱，NAND閃存主要供應(yīng)商韓國三星電子和日本東芝正在制定計劃以減緩12英寸晶圓廠產(chǎn)能擴(kuò)張的速度，防止NAND閃存價格像DRAM一樣跌入無底洞。

目前三星和東芝的閃存制程正在由21nm向19nm過渡，隨著制程的進(jìn)步單個晶圓可切割的芯片也越來越多。消息來源表示，由于需求量有限，NAND閃存產(chǎn)品如SSD和U盤成品目前正陷入供過于求的狀態(tài)售價接連下跌。

消息來源指出，三星和東芝目前最可能采取的手段是推遲計劃中12英寸晶圓廠擴(kuò)建的速度。因Ultrabook和SSD的需求在2012年不盡如人意，預(yù)計NAND閃存芯片價格將會持續(xù)疲軟。但另一陣營的閃存大廠Intel與美光（Micron）聯(lián)合即IMFT目前尚看不到采取措施的跡象。

在中國大陸市場，NAND閃存的價格在六月趨于穩(wěn)定但終端市場產(chǎn)品仍然維持下降趨勢，分析人士認(rèn)為售價趨穩(wěn)是由于三星降低了對內(nèi)地渠道批發(fā)商的供貨數(shù)量。