3月23日消息，根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange表示，爾必達申請破產(chǎn)保護一個月后，DRAM產(chǎn)業(yè)開始傳出整并消息，爾必達也企圖自保，藉由財務(wù)重整挹注資金來渡過難關(guān)。集邦科技認為，DRAM產(chǎn)業(yè)近年來面臨毛利率下降，以及傳統(tǒng)PC產(chǎn)業(yè)受平板機與智能型手機等行動終端侵蝕影響，產(chǎn)業(yè)環(huán)境每況愈下，而爾必達產(chǎn)品長期對PC DRAM倚賴太深，同時營運重心偏向以受到景氣波動影響最巨的現(xiàn)貨市場為主，即使制程技術(shù)可與一線大廠抗衡，然一旦面臨景氣劣勢，直接沖擊營收表現(xiàn)，導(dǎo)致市占率節(jié)節(jié)敗退。

Source: DRAMeXchange, Mar, 2012

爾必達未來發(fā)展仍是大家所關(guān)注的焦點，除了債務(wù)問題必須逐一解決外，日本政府的態(tài)度更具有關(guān)鍵性影響，爾必達也在尋找任何在市場繼續(xù)存活的可能性。集邦科技針對爾必達事件最終結(jié)果，提出「取得資金，債務(wù)重整」、「出售廠房，短期陣痛」、「宣告破產(chǎn)，價格飆升」三大可能性，指出爾必達處分瑞晶取得資金，廣島廠轉(zhuǎn)型IC設(shè)計，將是推動DRAM產(chǎn)業(yè)往前邁進，對產(chǎn)業(yè)沖擊影響較小的方式。

可能性一：取得資金 債務(wù)重整

目前傳聞日本政府有意出資拯救爾必達，前提是希望日本國內(nèi)DRAM與NAND Flash兩大產(chǎn)品線整合，此外，為搶攻行動終端市場，廣島廠將降低標準型內(nèi)存比重，提升行動式內(nèi)存投片，然而，受限于自主閃存(NAND Flash)技術(shù)的短缺，導(dǎo)致與韓系廠商相較之下，無法在MCP(Multi-Chip Packaging)領(lǐng)域有進一步的發(fā)展，因此，身為NAND Flash營收排名第二的東芝半導(dǎo)體，不排除在日本政府主導(dǎo)下與爾必達進行技術(shù)合作，如果順利，未來將有MCP (Multi-Chip Packaging)產(chǎn)品續(xù)攻成長性高的智能型手機及平板計算機兩大市場，與韓系大廠在行動式內(nèi)存領(lǐng)域相抗衡。

在標準型內(nèi)存上，僅委由瑞晶作為生產(chǎn)主力，加速轉(zhuǎn)進25奈米制程。但由供需面的動能做觀察，盡管瑞晶獨撐大局，標準型內(nèi)存整體市況仍供過于求，對DRAM平均銷售單價的拉抬效應(yīng)有限。在債務(wù)方面，爾必達亦有可能與銀行團洽談以債轉(zhuǎn)股，甚至減免部份債務(wù)，整體退出DRAM產(chǎn)能可能性低，對后續(xù)顆粒價格拉抬的效應(yīng)最小。

可能性二：出售廠房 短期陣痛

倘若日本政府僅提供程度上的債務(wù)展延，爾必達的自救仍需繼續(xù)進行。在廣島廠方面，隨著日本政府整并面板產(chǎn)業(yè)后，目前也將觸角伸入國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，近期正在進行瑞薩電子(Renesas Electronics)、富士通(Fujitsu)及松下(Panasonic)的整并工作，并嘗試將IC 設(shè)計及芯片生產(chǎn)區(qū)分為兩大事業(yè)體，未來將成立一家名為INCJ的公司進行經(jīng)營主導(dǎo)IC 設(shè)計業(yè)務(wù)，生產(chǎn)部份不排除將轉(zhuǎn)入爾必達廣島廠生產(chǎn)，冀望降低其標準型DRAM的曝險。

同時，爾必達為解決財務(wù)上的問題，集邦科技認為，出售瑞晶或廣島廠的可能性不低，假設(shè)售出之后，勢必面臨技術(shù)轉(zhuǎn)換陣痛期，屆時投片將會減少，時間有可能長達半年左右。從供需面來看，2012年下半年將有機會轉(zhuǎn)為供需平衡，技術(shù)轉(zhuǎn)進能力強的廠商，標準型DRAM有望呈現(xiàn)獲利的價格走勢。

可能性三：宣告破產(chǎn) 價格飆升

由于日本政府經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省尚未決定是否相救爾必達，若最后決議不提供援助，爾必達將全面退出市場，屆時包含瑞晶在內(nèi)的投片，合計每月165K都將停止，全球DRAM產(chǎn)能將頓時失去12%，供過于求的狀況短期內(nèi)轉(zhuǎn)為供不應(yīng)求，DRAM合約顆粒價格將上看2.35美元，成長幅度超過100%，本是淺碟價格走勢的現(xiàn)貨市場，由于庫存水位普遍不高下，更有機會上看2.5美元價位。

此外，集邦科技認為，若爾必達退出行動式內(nèi)存版圖，最大受惠者將會是同時具備DRAM與NAND Flash產(chǎn)能的韓廠海力士半導(dǎo)體，其產(chǎn)品線完備，是僅次于三星半導(dǎo)體，營收排名第二大的供貨商，將與美系美光半導(dǎo)體分食爾必達現(xiàn)有市占。

Figure-2 Mobile DRAM Market Share Breakdown, 4Q11 & 4Q12(E)　

Source: DRAMeXchange, Mar, 2012

瑞晶半導(dǎo)體無疑是后續(xù)DRAM總產(chǎn)能最大的變異數(shù)，無論最后爾必達事件如何收尾，韓系、美系甚至臺系的DRAM廠都可能將瑞晶視為整并對象。集邦科技預(yù)估，假設(shè)瑞晶易主，將現(xiàn)有的爾必達技術(shù)逐步更新至新技術(shù)母廠的準備時間，將至少存在六個月的空窗期，不僅產(chǎn)能利用率降低，制程良率也需要時間逐步改善，預(yù)計今年P(guān)C DRAM的年度總產(chǎn)能將因制程轉(zhuǎn)換而產(chǎn)生至少225K片的缺口，將大幅修正當下DRAM供過于求的市況，直接轉(zhuǎn)為供需平衡，若再加計產(chǎn)業(yè)鏈對爾必達存亡的疑慮做出激烈反應(yīng)，加備庫存周數(shù)或是重復(fù)下單以避免后續(xù)價格劇烈彈升，以及配合下半年需求端較佳的季節(jié)性銷售，PC DRAM價格將有機會大幅回漲。（責(zé)編：龔飄梅）