[導讀]根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，雖然時序進入 12月下旬傳統(tǒng) PC 出貨淡季， 12月下旬合約價格與上旬相較呈現(xiàn)持平的價格走勢， DDR3 4GB均價維持于16.5美元， DDR3 2GB均價亦守9.25美元，
根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門 DRAMeXchange 的調(diào)查，雖然時序進入 12月下旬傳統(tǒng) PC 出貨淡季， 12月下旬合約價格與上旬相較呈現(xiàn)持平的價格走勢， DDR3 4GB均價維持于16.5美元， DDR3 2GB均價亦守9.25美元，合約價于下半年漫長的跌幅走勢中總算于年末出現(xiàn)止跌的跡象，2Gb顆粒在均價維持0.88美元。
從市場面來觀察，雖然還沒有明確實證指出明年首季有顯著的需求回升，但受惠于先前數(shù)家DRAM廠陸續(xù)減產(chǎn)所造成的產(chǎn)出縮減，有少數(shù) PC OEM 為避免受到后續(xù)供貨不足影響，已經(jīng)增加 DRAM 購買數(shù)量。由于中國農(nóng)歷年已經(jīng)即將到來，預計2012年一月的成交數(shù)量受到工作天數(shù)減少影響將會略顯清淡，所幸先前減產(chǎn)的效應(yīng)會逐漸顯現(xiàn)，加上硬盤缺貨的疑慮逐漸消散，DRAM合約價格可望于短期內(nèi)呈現(xiàn)相對平穩(wěn)的走勢。
DRAMeXchange 表示，2011年對于DRAM產(chǎn)業(yè)實屬充滿不確定性因素的一年，不僅是天災頻傳，陸續(xù)造成DRAM供給與需求的沖擊以外，由于 PC 產(chǎn)業(yè)受到平板電腦崛起所造成的生態(tài)變化，對 DRAM 的消耗量產(chǎn)生重大的影響，消費者追求輕薄的硬件需求，令對內(nèi)存的需求大幅趨緩，造成下半年供過于求的嚴峻態(tài)勢。以下是集邦科技對 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)重大事件的回顧：
1. 2011 DRAM合約顆粒價格跌幅達58%，現(xiàn)貨價格跌幅更高達70%──2011年DRAM 2Gb合約顆粒價格，自五月高點2.13美元下跌至今0.88美元，跌幅達58%，現(xiàn)貨市場價格更從年初2.32美元下滑至0.7美元，跌幅更高達70%，顆粒價格直逼2008年金融風暴低點。
2. 2011年下半年開始DRAM廠陸續(xù)宣布減產(chǎn)──由于DRAM顆粒價格跌幅過大，甚至跌破現(xiàn)金成本，DRAM廠在下半年陸續(xù)宣布減產(chǎn)，2011年自年初高點1300K下修至約1030K，減幅約21%，其中臺系DRAM廠投片減幅甚至高達44%，影響最大。
3. 次世代制程轉(zhuǎn)進難度增加，DRAM廠差距逐步擴大──制程轉(zhuǎn)進伴隨著的是龐大的研發(fā)費用，如三星已逐漸跨入20nm制程，海力士與爾必達則是于下半年積極轉(zhuǎn)進30nm制程，反觀臺系廠商仍在40nm甚至50nm制程，如此差距下，臺系廠仍苦思未來發(fā)展方向。
4. 日本311大地震重創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈──日本東北大地震沖擊，沖擊硅晶圓的供給及后續(xù)限電的措施，當時全球DRAM產(chǎn)出造成影響，尤其以越后半導體的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠影響最為嚴重，亦讓當時的硅晶圓的產(chǎn)出充滿不確定的因素。但缺貨的疑慮很快隨著硅晶圓廠的復工而消散，導致DRAM價格于5月份起一路下滑至年底。
5. 臺系DRAM廠逐步退出標準型DRAM市場，轉(zhuǎn)型代工及非標準型DRAM業(yè)務(wù)──標準型DRAM市況嚴峻，臺系DRAM紛紛退出市場，如茂德因財務(wù)問題大幅減產(chǎn)，力晶轉(zhuǎn)型代工及非標準型DRAM業(yè)務(wù)，南科與華亞科則是減少投片以求渡過DRAM產(chǎn)業(yè)寒冬。
6. 泰國洪災沖擊硬盤供應(yīng)鏈，進而影響PC出貨甚至DRAM價格──第四季末泰國洪災影響硬盤出貨，其中以WD受創(chuàng)最為嚴重，Seagate及Hitaichi雖未受到嚴重沖擊，但因受到洪災關(guān)系影響該地交通導致出貨不順，整體全球所造成的缺口約在10~20%。所幸受惠于硬盤廠的實時反應(yīng)，復工狀況良好，根據(jù)集邦科技的預估，硬盤的缺口預計將在2012年2月復原，缺貨所造成的沖擊可望得到完全紓解。
從市場面來觀察，雖然還沒有明確實證指出明年首季有顯著的需求回升，但受惠于先前數(shù)家DRAM廠陸續(xù)減產(chǎn)所造成的產(chǎn)出縮減，有少數(shù) PC OEM 為避免受到后續(xù)供貨不足影響，已經(jīng)增加 DRAM 購買數(shù)量。由于中國農(nóng)歷年已經(jīng)即將到來，預計2012年一月的成交數(shù)量受到工作天數(shù)減少影響將會略顯清淡，所幸先前減產(chǎn)的效應(yīng)會逐漸顯現(xiàn)，加上硬盤缺貨的疑慮逐漸消散，DRAM合約價格可望于短期內(nèi)呈現(xiàn)相對平穩(wěn)的走勢。
DRAMeXchange 表示，2011年對于DRAM產(chǎn)業(yè)實屬充滿不確定性因素的一年，不僅是天災頻傳，陸續(xù)造成DRAM供給與需求的沖擊以外，由于 PC 產(chǎn)業(yè)受到平板電腦崛起所造成的生態(tài)變化，對 DRAM 的消耗量產(chǎn)生重大的影響，消費者追求輕薄的硬件需求，令對內(nèi)存的需求大幅趨緩，造成下半年供過于求的嚴峻態(tài)勢。以下是集邦科技對 2011年DRAM產(chǎn)業(yè)重大事件的回顧：
1. 2011 DRAM合約顆粒價格跌幅達58%，現(xiàn)貨價格跌幅更高達70%──2011年DRAM 2Gb合約顆粒價格，自五月高點2.13美元下跌至今0.88美元，跌幅達58%，現(xiàn)貨市場價格更從年初2.32美元下滑至0.7美元，跌幅更高達70%，顆粒價格直逼2008年金融風暴低點。
2. 2011年下半年開始DRAM廠陸續(xù)宣布減產(chǎn)──由于DRAM顆粒價格跌幅過大，甚至跌破現(xiàn)金成本，DRAM廠在下半年陸續(xù)宣布減產(chǎn)，2011年自年初高點1300K下修至約1030K，減幅約21%，其中臺系DRAM廠投片減幅甚至高達44%，影響最大。
3. 次世代制程轉(zhuǎn)進難度增加，DRAM廠差距逐步擴大──制程轉(zhuǎn)進伴隨著的是龐大的研發(fā)費用，如三星已逐漸跨入20nm制程，海力士與爾必達則是于下半年積極轉(zhuǎn)進30nm制程，反觀臺系廠商仍在40nm甚至50nm制程，如此差距下，臺系廠仍苦思未來發(fā)展方向。
4. 日本311大地震重創(chuàng)DRAM產(chǎn)業(yè)上游供應(yīng)鏈──日本東北大地震沖擊，沖擊硅晶圓的供給及后續(xù)限電的措施，當時全球DRAM產(chǎn)出造成影響，尤其以越后半導體的福島白河廠與SUMCO的山形米澤廠影響最為嚴重，亦讓當時的硅晶圓的產(chǎn)出充滿不確定的因素。但缺貨的疑慮很快隨著硅晶圓廠的復工而消散，導致DRAM價格于5月份起一路下滑至年底。
5. 臺系DRAM廠逐步退出標準型DRAM市場，轉(zhuǎn)型代工及非標準型DRAM業(yè)務(wù)──標準型DRAM市況嚴峻，臺系DRAM紛紛退出市場，如茂德因財務(wù)問題大幅減產(chǎn)，力晶轉(zhuǎn)型代工及非標準型DRAM業(yè)務(wù)，南科與華亞科則是減少投片以求渡過DRAM產(chǎn)業(yè)寒冬。
6. 泰國洪災沖擊硬盤供應(yīng)鏈，進而影響PC出貨甚至DRAM價格──第四季末泰國洪災影響硬盤出貨，其中以WD受創(chuàng)最為嚴重，Seagate及Hitaichi雖未受到嚴重沖擊，但因受到洪災關(guān)系影響該地交通導致出貨不順，整體全球所造成的缺口約在10~20%。所幸受惠于硬盤廠的實時反應(yīng)，復工狀況良好，根據(jù)集邦科技的預估，硬盤的缺口預計將在2012年2月復原，缺貨所造成的沖擊可望得到完全紓解。
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