『據(jù)ABIResearch網(wǎng)站2011年1月26日報道』雖然RF(射頻)功率半導(dǎo)體在無線基礎(chǔ)設(shè)施市場仍處于停滯狀態(tài),但在其他市場,尤其是軍品市場,形勢已開始好轉(zhuǎn)。據(jù)美國市場研究機構(gòu)ABIResearch最新報告指出,GaN(氮化鎵)作為未來很有潛力的RF功率器件制備材料,將進一步獲得市場認可。
GaN兼具GaAs(砷化鎵)的高頻性能和硅基LDMOS器件的功率處理能力,現(xiàn)已成為主流技術(shù),取得了一定市場份額,并將在未來市場中占有一席之地。
不同于無線基礎(chǔ)設(shè)施市場,軍品市場的RF功率器件交易表現(xiàn)出強勁上揚的態(tài)勢。雖然生產(chǎn)商集中在幾個主要工業(yè)化國家,但隨著軍品市場的全球化,買方可來自世界各地。
RF功率器件是指頻率達到3.8GHz且輸出功率在5W以上的半導(dǎo)體器件,可以滿足現(xiàn)有大部分應(yīng)用需求。
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