[導讀]『據ABIResearch網站2011年1月26日報道』雖然RF（射頻）功率半導體在無線基礎設施市場仍處于停滯狀態(tài)，但在其他市場，尤其是軍品市場，形勢已開始好轉。據美國市場研究機構ABIResearch最新報告指出，GaN（氮化鎵）作
『據ABIResearch網站2011年1月26日報道』雖然RF（射頻）功率半導體在無線基礎設施市場仍處于停滯狀態(tài)，但在其他市場，尤其是軍品市場，形勢已開始好轉。據美國市場研究機構ABIResearch最新報告指出，GaN（氮化鎵）作為未來很有潛力的RF功率器件制備材料，將進一步獲得市場認可。
GaN兼具GaAs（砷化鎵）的高頻性能和硅基LDMOS器件的功率處理能力，現已成為主流技術，取得了一定市場份額，并將在未來市場中占有一席之地。
不同于無線基礎設施市場，軍品市場的RF功率器件交易表現出強勁上揚的態(tài)勢。雖然生產商集中在幾個主要工業(yè)化國家，但隨著軍品市場的全球化，買方可來自世界各地。
RF功率器件是指頻率達到3.8GHz且輸出功率在5W以上的半導體器件，可以滿足現有大部分應用需求。
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