海力士開始量產(chǎn)26納米技術(shù)NAND閃存
[導(dǎo)讀]韓國(guó)海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。
該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm
韓國(guó)海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。
該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級(jí)產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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