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[導(dǎo)讀]韓國海力士聲稱,在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。 該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn),采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。 海力士稱它的芯片是26nm


韓國海力士聲稱,在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開始利用20納米技術(shù)進行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。
該公司在2月時曾報道擬進行20納米級的64Gb的NAND生產(chǎn),采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進行疊層封裝完成。
海力士稱它的芯片是26nm的一種,有人稱20nm級產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存,IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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