[導讀]Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET ---Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減
Vishay Intertechnology, Inc.日前宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級功率MOSFET ---Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產品。20V MICRO FOOTSi8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產品中占用的空間。
隨著便攜式產品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因為按鍵和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和厚度，比同樣采用芯片級封裝的尺寸第二小的N溝道器件小36%，薄11%，能夠實現更加小巧且功能更多的終端產品。
由于采用無封裝技術且增大了管芯面積，Si8800EDB的芯片級封裝提供了單位面積上極低的導通電阻。MOSFET在4.5V、2.5V、1.8V和1.5V下的最大導通電阻分別為80mΩ、90mΩ、105mΩ和150mΩ。
新器件的典型應用包括負載開關和手機、PDA、數碼相機、MP3播放器和智能手機等便攜式設備中的小信號切換。Si8800EDB的低導通電阻可延長這些產品中兩次充電之間的電池壽命。
Si8800EDB的典型ESD保護為1500V，符合RoHS指令2002/95/EC，符合IEC61249-2-21定義的無鹵素規(guī)范。
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