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X-FAB推出100V高電壓0.35微米晶圓制程

時(shí)間：2010-07-26 14:14:34

關(guān)鍵字：晶圓高電壓微米 FAB

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[導(dǎo)讀]X-FAB于日前宣布，發(fā)表第一套100V高電壓0.35微米晶圓制程。當(dāng)運(yùn)用在電池管理方面，可實(shí)現(xiàn)更上層樓的可靠性、高效能電池管理與保護(hù)系統(tǒng)，也最適合于電源管理應(yīng)用與運(yùn)用壓電驅(qū)動(dòng)器的超音波影像處理和噴墨打印頭應(yīng)用

X-FAB于日前宣布，發(fā)表第一套100V高電壓0.35微米晶圓制程。當(dāng)運(yùn)用在電池管理方面，可實(shí)現(xiàn)更上層樓的可靠性、高效能電池管理與保護(hù)系統(tǒng)，也最適合于電源管理應(yīng)用與運(yùn)用壓電驅(qū)動(dòng)器的超音波影像處理和噴墨打印頭應(yīng)用。此外，X-FAB更增添全新強(qiáng)化的N-與P-型雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)晶體管，具備更低45%的導(dǎo)通電阻(on-resistance)適用于高達(dá)100V的多種作業(yè)電壓，更縮小達(dá)40%的芯片面積，自然也降低了成本。X-FAB將在7月27日與28日針對(duì)全球展開(kāi)免費(fèi)的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，議題為“業(yè)界首創(chuàng)0.35微米100V純晶圓代工制程的高電壓應(yīng)用(Addressing High-Voltage Applications with the Industry’s First 0.35 Micrometer 100V Pure-Play Foundry Process)”，并徹底討論這些全新功能。

X-FAB首席技術(shù)官Jens Kosch表示，隨著油電混合車與電動(dòng)車、光電動(dòng)勢(shì)電池(photo-voltaic cell)及風(fēng)力渦輪發(fā)電機(jī)等可再生能源應(yīng)用的支持者日益增多，安全、高效能能源儲(chǔ)存管理解決方案也應(yīng)運(yùn)而生。運(yùn)用X-FAB全新的專門高電壓制程，我們的客戶能夠應(yīng)付這些問(wèn)題，與及以更低成本支持大幅增長(zhǎng)潛力的其它新興應(yīng)用。例如，我們留意到全球各大車廠都對(duì)鋰離子電池等電源管理解決方案投以注目。我們的客戶運(yùn)用X-FAB嶄新HV制程，便能夠?qū)崿F(xiàn)更安全、更高效能的電池監(jiān)控與保護(hù)系統(tǒng)。

X-FAB表示，全新強(qiáng)化N-與P-型DMOS晶體管閘極氧化層厚度只有14nm或40nm，為客戶們作業(yè)電壓55V、75V與100V的應(yīng)用提供5V或12V驅(qū)動(dòng)能力的選擇。藉由大幅降低導(dǎo)通電阻、整合到EEPROM賴以運(yùn)作的基礎(chǔ)制程而實(shí)現(xiàn)更精簡(jiǎn)且可程序化的儲(chǔ)存，和以厚金屬層作為第三金屬層，X-FAB大幅降低了功能成本比。此外，新增的隔離式5V NMOS與PMOS裝置能夠在0到最高作業(yè)電壓100V之間浮動(dòng)。其它裝置強(qiáng)化還包括d蕭基二極管(Schottky diode)、20V與100V高電壓電容與雙極晶體管。 0 0

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