三星電子全球率先批量生產20納米制程NAND閃存
[導讀]據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產。
三星
據(jù)外電報道，三星電子表示，該公司從上周末開始批量生產20納米制程32GB多層單元(MLC)NAND閃存。
20納米制程32GB多層單元NAND閃存的生產性，比30納米制程高50%左右。三星電子在全球半導體行業(yè)率先投入到了量產。
三星電子相關負責人表示，公司同時開發(fā)20納米制程32GB多層單元專用controller，確保了與30納米級NAND閃存相同的穩(wěn)定性。
三星電子的20納米制程NAND閃存將先用于手機存儲卡SD卡。
此外，今年2月公布開發(fā)20納米制程64GBNAND閃存的海力士半導體，計劃于今年第三季度投入量產，英特爾和Micron合資組建的IMFlash技術有限責任公司則將于第二季度開始批量生產。
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