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[導讀]雖然已是各種智能卡芯片代工市場老大,但是上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產、轉向專業(yè)代工算起,就確立了通過特色代工工藝吸引戰(zhàn)略

雖然已是各種智能卡芯片代工市場老大,但是上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)絕不滿足于人們將之看作一家智能卡芯片的廠商。華虹NEC自2002年停止DRAM生產、轉向專業(yè)代工算起,就確立了通過特色代工工藝吸引戰(zhàn)略客戶的發(fā)展道路,并在激烈競爭的代工市場領域建立起了獨特的優(yōu)勢?!岸嗄昵?,華虹NEC第一個采用8英寸生產線來制造MOSFET等分立器件時,被當時絕大多數業(yè)內人士指責殺雞用牛刀,然而,事實證明華虹NEC這一步棋走對了。目前華虹NEC分立器件累計出貨超過100萬片晶圓,這種新型代工業(yè)務模式也被競爭對手所效仿?!比A虹NEC市場副總裁高峰對本刊表示。除了嵌入式非揮發(fā)性存儲器外,華虹NEC還在功率器件、模擬/電源管理IC、高壓CMOS以及基于SiGe(鍺硅)工藝的射頻等特色工藝領域不斷創(chuàng)新,并取得了不俗的業(yè)績。展望2010年,華虹NEC的五大特色工藝正好匹配了目前最熱門的一大部分產品與應用,并將為廣大客戶、特別是本土客戶帶來高性價比的產品與服務。

從智能卡到MCU再到觸摸屏

從0.35微米工藝到0.13微米工藝,華虹NEC一直保持著嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術的領先地位。目前華虹NEC正在開發(fā)的創(chuàng)新技術是1T(一個晶體管)快閃存儲單元?!?T技術比現有技術可在更小的晶圓尺寸上實現更大容量的存儲單元,特別對于768KB或以上容量的存儲單元面積縮小更為顯著,這正是3G/4G手機終端的大容量SIM/JAVA卡所必需的。”高峰說道。

盡管如此,智能卡業(yè)務僅占華虹NEC不到30%收入比例,華虹NEC一方面加大其余特色工藝平臺的技術創(chuàng)新與市場開拓,另一方面也大力將自己領先的嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術向非智能卡產品領域拓展與延伸。

將嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術拓展到MCU領域就是華虹NEC正在做的一個工作。在MCU市場,華虹NEC特別注意扶持中小型的潛力客戶。“為此,我們采用了兩條腿走路的方式:一方面我們與國際IP廠商合作,以服務大的客戶;另一方面我們與臺灣及本土IP廠商合作,引入低價位的CPU核、同時配以良好的技術支持,這對中國IC設計公司非常重要?!蹦壳皫准冶就羶?yōu)質MCU廠商已是華虹NEC的重要培養(yǎng)客戶。

還有一個目前非?;鸬氖袌鲆彩侨A虹NEC的嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝可以延伸的領域,這就是觸摸屏市場。“觸摸屏產品可以用到我們的多個工藝,包括集成嵌入式非揮發(fā)性存儲器和高壓CMOS的特色工藝,這一創(chuàng)新技術我們已開發(fā)出來,今年就開放給用戶使用?!备叻逋嘎?。在LCD驅動領域,華虹NEC是很多知名芯片廠商的代工伙伴,處于該領域的業(yè)界領先地位?,F在,利用這一優(yōu)勢工藝,結合嵌入式非揮發(fā)性存儲器,華虹NEC希望能在觸摸屏市場大展拳腳。

BCD工藝迎合節(jié)能環(huán)保熱點

2010年最熱的LED照明/背光、高端電源管理和汽車電子中都缺不了BCD(雙極,CMOS和DMOS)工藝的器件,事實上,BCD基礎器件已成這些熱門應用的核心器件。而華虹NEC已開發(fā)和正在開發(fā)的BCD工藝技術的節(jié)點涵蓋0.5μm、 0.35μm、0.25μm與 0.18μm,其中面向高端電源管理的“0.25/0.18um BCD”還是國家重點支持的重大科技專項項目之一。

“700V BCD是一種創(chuàng)新,基于該工藝制造的IC可直接工作在220V的市電下,而不用像以前那樣通過多個器件來實現。這樣就大大提高了效率,符合節(jié)能環(huán)保趨勢?!备叻褰忉?。他透露目前已有國內IC設計公司設計出700V的BCD器件,并正在與華虹NEC合作。而在LED照明和大尺寸LED液晶電視背光方面,華虹NEC已成功推出40V與60V的BCD工藝技術平臺,客戶包括國內與海外廠商。“BCD工藝技術的發(fā)展不像標準CMOS工藝那樣遵循Moore定律,而是向高壓、高功率、高密度三個方向發(fā)展?!彼忉尅?/FONT>

BCD和MOSFET的另一大應用——汽車電子市場,華虹NEC已獲得了汽車電子符合性認證,正在與合作伙伴一起準備產品認證。

鍺硅射頻技術讓無線產品更便宜

3G、WLAN/WIFI以及衛(wèi)星機頂盒等都是2010年無線市場的大熱,而這些終端產品中有一個占成本比例不小的器件——PA(功率放大器)。目前業(yè)界主流PA都采用砷化鎵工藝,但是砷化鎵工藝的代工廠數量少,代工價格也很貴,很多時候還會出現供應緊缺情況。而鍺硅(SiGe)工藝比砷化鎵的成本要低很多,如果能采用單管的鍺硅代替后者,將為無線產業(yè)帶來一次革命。華虹NEC正在作此項研究,有望在今年內取得突破。

“問題的關鍵是如何讓鍺硅工藝的性能進一步提升,而不增加太多成本?!备叻宸治?,“我們的策略是先在一些對性能要求不是非常苛刻的地方替代砷化鎵。華虹NEC目前正在開發(fā)0.18/0.13um鍺硅工藝,將用于接收機的LNA(低噪聲放大器)中,同時還會用于對講機的PA中?!彼瑫r透露,這個項目也是國家重點支持的項目之一,華虹NEC今后將繼續(xù)開發(fā)性價比更高的鍺硅射頻工藝技術平臺,用于更高端的產品中。

中國芯片廠商已開始在PA市場扮演重要角色,這個傳統(tǒng)上由國際廠商主導的市場,正在RDA(銳迪科)等中國廠商的帶領下向本土化供應商滲透。華虹NEC在鍺硅項目上會不會再帶火一家本土的IC公司呢,我們將拭目以待。

 

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