爾必達(dá)、瑞晶及PSC的技術(shù)人員將會聚于該基地,合作開發(fā)40nm工藝、單元面積為4F2(F為設(shè)計(jì)規(guī)則)的DRAM技術(shù)?,F(xiàn)在爾必達(dá)正在量產(chǎn)的最尖端DRAM為45nm工藝產(chǎn)品,單元面積為6F2。合作開發(fā)的目的在于通過大幅改變單元結(jié)構(gòu)等,在版圖設(shè)計(jì)上實(shí)現(xiàn)可謂終極的單元面積。爾必達(dá)還計(jì)劃把該基地開發(fā)的技術(shù)提供給該公司的代工廠商臺灣茂德科技和臺灣華邦電子。
以往爾必達(dá)主要在日本國內(nèi)從事DRAM開發(fā),而將臺灣定位于生產(chǎn)基地。爾必達(dá)指出在臺灣設(shè)立開發(fā)基地的好處有“容易在開發(fā)中滿足市場存在感日益增強(qiáng)的臺灣客戶的需求,容易確保優(yōu)秀的技術(shù)人員,容易降低人工費(fèi)”(爾必達(dá)內(nèi)存公關(guān)部)。至于將來是否打算把通用DRAM開發(fā)全部轉(zhuǎn)交給臺灣基地,該公司未明確表態(tài)。
濟(jì)南2022年10月14日 /美通社/ -- 近日,國務(wù)院辦公廳印發(fā)《關(guān)于加快推進(jìn)"一件事一次辦"打造政務(wù)服務(wù)升級版的指導(dǎo)意見》,提出加快推進(jìn)"一件事一次辦",打造政務(wù)服務(wù)升級版,...
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