高通與TSMC在28納米工藝技術上攜手合作
小尺寸與低功秏是高通公司包括Snapdragon芯片組平臺在內的下世代系統單芯片解決方案之重要特色。奠基于雙方長久的合作關系，高通與TSMC正攜手將產品從45納米工藝直接推進至28納米工藝。
TSMC全球業(yè)務暨行銷副總經理陳俊圣表示，TSMC一向致力于提供客戶先進技術平臺及設計生態(tài)系統，我們的28納米工藝平臺可以為嶄新世代的產品帶來更多高效能、低耗電的產品體驗。我們很高興能與全球通訊領導廠商－美商高通公司攜手合作，使得更多使用者的新體驗得以實現。
高通資深副總裁暨高通通訊科技總經理Jim Clifford表示，高通藉由領先業(yè)界的整合、兼具功耗及成本效益的產品，為客戶帶來「利用最少資源，獲得更多效益」的重要優(yōu)勢，其關鍵在于與TSMC的緊密合作。高通藉由整合式無晶圓制造模式及不斷跨入更先進工藝，將持續(xù)為全球的移動電話、智能手機、智能筆記本電腦等用戶帶來最佳的移動通訊體驗。
高通與TSMC過去在65納米與45納米工藝技術合作十分密切，現在更進一步延伸至低耗電、低漏電的28納米世代進行量產。28納米工藝密度可較前一代工藝高出一倍，讓執(zhí)行移動運算的半導體元件能在更低耗電下提供更多功能。高通與TSMC目前在28納米世代的合作包括高介電層／金屬閘（high-k metal gate, HKMG）的高效能工藝技術以及具備氮氧化硅（silicon oxynitride, SiON）的低耗電高速工藝技術。此外，高通預計于2010年年中投產首批 28納米產品。
高通整合無晶圓廠制造模式(Integrated Fabless Manufacturing；IFM)成功的關鍵，乃是與策略性技術及集成電路制造伙伴密切合作，這不但展現極高的效率，也加速整個產業(yè)的技術發(fā)展。
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