新日本制鐵(新日鐵)著手開展作為新一代功率半導體底板材料的SiC(碳化硅)晶圓業(yè)務。將從2009年4月1日起通過子公司新日鐵材料開始銷售直徑2～4英寸(50～100mm)的SiC晶圓。此前新日鐵一直提供試制用晶圓的樣品，而此次將從4月份起供應質量可用于元件量產(chǎn)的晶圓。計劃2015年前后使該業(yè)務的年銷售額規(guī)模達100億日元。“毫無疑問，我們將成為僅次于(壟斷SiC晶圓市場的)美國可瑞(Cree)公司，成為業(yè)界第二。不過我們的晶圓質量可是全球第一位的”(新日鐵材料董事社長石山照明)。

2009年3月26日舉辦了新聞發(fā)布會。左側為新日鐵材料董事社長石山照明。右側為新日本制鐵尖端技術研究所所長橋本操。

新日鐵材料將開始銷售直徑為2英寸(50mm)、3英寸(76mm)及4英寸(100mm)的n型4H-SiC晶圓。所有產(chǎn)品的中空貫通缺陷(微管)的存在密度均降到了1個/cm2以下。在引起元件成品率下降的位錯缺陷方面，與可瑞的晶圓相比，新日鐵的水平也毫不遜色?！盀榱颂岣逽iC晶圓的結晶質量，采用了通過制鐵用高爐開發(fā)的超高溫溫度控制技術”(新日鐵新材料研究部長大橋渡)。

日本國內(nèi)首次推出直徑100mm晶圓，150mm晶圓將于2011年樣品供貨

這是日本國內(nèi)廠商首次推出直徑100mm的SiC晶圓產(chǎn)品(參閱本站報道1，參閱本站報道2)。該尺寸是量產(chǎn)元件時使用的最小尺寸，因此，此次實現(xiàn)產(chǎn)品化“將成為加快SiC晶圓元件量產(chǎn)步伐的原動力”(新日鐵材料董事兼技術部長巽宏平)?？扇鹩媱?9年～2010年推出的直徑6英寸(150mm)的晶圓產(chǎn)品，“將于2011年開始樣品供貨”(巽宏平)。另外，新日鐵此次推出的直徑50～100mm的晶圓產(chǎn)品均為沒有形成外延膜(Epitaxial Film)的普通晶圓(Bulk Wafer)。關于事先形成外延膜的外延晶圓(Epitaxial wafer)，“我們已經(jīng)擁有制造設備，目前正在探討當業(yè)務需求增高時如何實現(xiàn)業(yè)務化的問題”(巽宏平)。

　新日鐵推出的直徑2～4英寸（50～100mm）的SiC晶圓產(chǎn)品。

新日鐵材料最初計劃主要面向日本國內(nèi)元件廠商銷售SiC晶圓。生產(chǎn)基地為該公司的子公司日鐵微金屬的寄居工廠(埼玉縣)。預計最初以月產(chǎn)200～400張的規(guī)模進行量產(chǎn)，年銷售額將達數(shù)億日元。隨著元件市場的發(fā)展，“生產(chǎn)規(guī)模及銷售額也將實現(xiàn)數(shù)倍以上的增長”(巽宏平)。關于SiC功率半導體的用途，“最初將應用于產(chǎn)業(yè)設備、服務器及太陽能電池等領域，隨后擴大到混合動力車及電動汽車領域”(新日鐵材料的石山)。