[導(dǎo)讀]據(jù)iSuppli最新報(bào)道,全球存儲(chǔ)器將從09年開始有一輪新的上升周期,而從2012年始又將呈下降走勢(shì)(如下圖所示);其中,09年全球存儲(chǔ)器銷售額仍將下降4%,為242億美元,這已經(jīng)是連續(xù)下跌的第三年。08年下降20%,達(dá)到
據(jù)iSuppli最新報(bào)道,全球存儲(chǔ)器將從09年開始有一輪新的上升周期,而從2012年始又將呈下降走勢(shì)(如下圖所示);其中,09年全球存儲(chǔ)器銷售額仍將下降4%,為242億美元,這已經(jīng)是連續(xù)下跌的第三年。08年下降20%,達(dá)到252億美元;07年為315億美元,下降7%;而在06年,全球存儲(chǔ)器達(dá)到了338億美元的高峰。
受金融風(fēng)暴影響,在過(guò)去兩年中全球存儲(chǔ)器前八大制造商已累積總虧損達(dá)80億美元,至09年底時(shí)虧損將擴(kuò)大到110億美元。
金融危機(jī)加速存儲(chǔ)器業(yè)復(fù)蘇
金融危機(jī)是把雙刃劍,其一方面雖降低了市場(chǎng)需求,但同樣也減少了產(chǎn)出。在一定條件下,更能加速存儲(chǔ)器業(yè)的復(fù)蘇,其關(guān)鍵就在于供與求的數(shù)量關(guān)系。
存儲(chǔ)器自06年Q4開始價(jià)格持續(xù)下跌,進(jìn)入下降周期,究其原因在于供大于求。由于06年DRAM的銷售額較05年增長(zhǎng)了35%,達(dá)338億美元,于是導(dǎo)致了07年存儲(chǔ)器的投資急速增加。據(jù)報(bào)道,全球存儲(chǔ)器的投資在07年達(dá)到187億美元,08年下降了48.7%,為96億美元。然而受金融危機(jī)的影響,預(yù)計(jì)09年DRAM產(chǎn)業(yè)的資本支出將再下降一半,約46-50億美元。
然而歷史經(jīng)驗(yàn)告訴我們,當(dāng)DRAM的資本支出與營(yíng)收比重小于30%時(shí),產(chǎn)業(yè)可能反彈。如08年投資為96億美元,而銷售額為252億美元,兩者之比為38%;09年的投資為46億美元,預(yù)計(jì)DRAM的銷售額在242億美元,兩者之比僅為19%。因此我們有理由相信,09年,存儲(chǔ)器的復(fù)蘇時(shí)機(jī)即將來(lái)臨。
再看集邦科技于09年2月的最新報(bào)道,在07年Q1至08年Q2期間,全球DRAM的產(chǎn)能增長(zhǎng)達(dá)56%,如果扣除8寸生產(chǎn)線的退役,總體產(chǎn)能增長(zhǎng)達(dá)21%。然而,由于存儲(chǔ)器的虧損持續(xù)擴(kuò)大,眾廠商如東芝、海力士及臺(tái)灣的力晶、南亞、茂德等,因現(xiàn)金流的斷供,被迫削減產(chǎn)出。08年Q2時(shí),全球存儲(chǔ)器等值12英寸的季度投片量為153.4萬(wàn)片,09年Q1時(shí)已下降到94.7萬(wàn)片,下降幅度達(dá)38.2%。
由于存儲(chǔ)器供求關(guān)系的變化,促使存儲(chǔ)器DDR2的1Gb價(jià)格反彈了75%,從11月中的0.59美元升到1月7日的1美元。而NAND價(jià)格在1月上旬時(shí),其8Gb及16Gb,MLC都反彈了19%,但是由于近5個(gè)月來(lái)NAND的價(jià)格跌幅已達(dá)9成,所以還有待時(shí)間恢復(fù)。
存儲(chǔ)器是風(fēng)向標(biāo)
如果存儲(chǔ)器的價(jià)格能夠連續(xù)有兩個(gè)季度的增長(zhǎng),表明全球存儲(chǔ)器已處于復(fù)蘇的上升周期,由此也能同樣表示全球半導(dǎo)體業(yè)處于上升周期。業(yè)界或許有人對(duì)此表示質(zhì)疑,這是為什么?
實(shí)際上回顧07全年及08年的前3個(gè)季度時(shí),由于存儲(chǔ)器價(jià)格的下降,拖累了整個(gè)半導(dǎo)體業(yè)的增幅。因此,存儲(chǔ)器對(duì)于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō),能起到“杠桿”調(diào)節(jié)作用。
然而,現(xiàn)在說(shuō)存儲(chǔ)器將首先復(fù)蘇反彈,還言之過(guò)早。但是業(yè)界更容易接受這樣的事實(shí),即在半導(dǎo)體業(yè)中相對(duì)起伏最大、反應(yīng)最為敏感的是存儲(chǔ)器。
在目前全球金融危機(jī)尚深不見底的情況下,業(yè)界密切關(guān)注著存儲(chǔ)器業(yè)的動(dòng)向,包括價(jià)格的起伏以及存儲(chǔ)器業(yè)間進(jìn)一步的兼并態(tài)勢(shì)。后勢(shì)將如何發(fā)展,讓我們拭目以待。
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Flash
存儲(chǔ)器
嵌入式系統(tǒng)
與其他類型的半導(dǎo)體相比,存儲(chǔ)芯片的競(jìng)爭(zhēng)廠商數(shù)量更多,而且芯片本身的差異化程度較低,這使得存儲(chǔ)芯片更加商品化,對(duì)需求變化也就更加敏感。存儲(chǔ)芯片通常是第一個(gè)感受到需求變化并出現(xiàn)價(jià)格下跌的組件。
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存儲(chǔ)芯片
半導(dǎo)體
DRAM
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)單片機(jī)中的程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器以及二者的區(qū)別予以介紹。
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程序存儲(chǔ)器
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存儲(chǔ)器
為增進(jìn)大家對(duì)存儲(chǔ)器的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)PLC內(nèi)部常用存儲(chǔ)器的使用規(guī)則予以介紹。
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