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[導(dǎo)讀]在即將舉行的2008年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM),英特爾公司計(jì)劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術(shù)。 根據(jù)IEDM文件,英特爾公司建立了一個(gè)基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測(cè)試芯片,單元尺寸為0.17

在即將舉行的2008年IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)(IEDM),英特爾公司計(jì)劃發(fā)布其最新的用在高性能處理器上的32納米工藝技術(shù)。

根據(jù)IEDM文件,英特爾公司建立了一個(gè)基本的32納米、291兆比特的SRAM陣列測(cè)試芯片,單元尺寸為0.171平方微米。該器件集成了近20億個(gè)晶體管和4.2Mbit2的矩陣密度。

測(cè)試芯片工作在3.8GHz的頻率上,工作電壓為1.1伏。英特爾計(jì)劃開(kāi)發(fā)其首款32納米的沉浸光刻掃描儀。此前193納米的設(shè)備來(lái)自尼康公司。該工藝還利用了第二代高h(yuǎn)/金屬門(mén)技術(shù)、緊縮頻道、以及9個(gè)等級(jí)的低k電介質(zhì)互聯(lián)技術(shù)。此外根據(jù)報(bào)道,該工藝還可以產(chǎn)生目前32納米的最大驅(qū)動(dòng)電流。NMOS飽和驅(qū)動(dòng)電流為1.55毫安,而傳統(tǒng)的PMOS驅(qū)動(dòng)電流為1.21毫安。

在IEDM上,還會(huì)有其他重要的產(chǎn)品推出。HRL實(shí)驗(yàn)室將介紹其RF CMOS與磷化銦(InP)晶體管的集成技術(shù)。根據(jù)該介紹文件稱,“磷化銦晶體管與其它硅質(zhì)晶體管相比,速度更快,但密集的磷化銦集成電路因技術(shù)不成熟而尚未批量生產(chǎn)。”

據(jù)稱,HRL已經(jīng)將高性能的250納米、300GHz的ft/fmax磷化銦雙異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(DHBTs)與IBM公司已有的130納米R(shí)F-CMOS晶圓集成在一起。

 

 

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