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明年臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)將優(yōu)于全球

時(shí)間：2007-11-19 10:15:34

關(guān)鍵字：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) IC產(chǎn)業(yè) 65NM DM

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[導(dǎo)讀](Topology Research Institute)發(fā)表全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查報(bào)告指出，預(yù)估2008年全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值將達(dá)2,752億美元，年成長率將由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球半導(dǎo)體庫存有效去化、IDM大廠提升外包比率及

(Topology Research Institute)發(fā)表全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)調(diào)查報(bào)告指出，預(yù)估2008年全球半導(dǎo)體總產(chǎn)值將達(dá)2,752億美元，年成長率將由2007年的2.87%大幅攀升至2008年的8%。而在全球半導(dǎo)體庫存有效去化、IDM大廠提升外包比率及北京奧運(yùn)商機(jī)的催化下，2008年臺(tái)灣IC產(chǎn)值可達(dá)新臺(tái)幣1兆7,000億，年成長率18.9%，遠(yuǎn)優(yōu)于全球IC產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)。

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)庫存逐步調(diào)整之際，加上主要IDM大廠紛紛轉(zhuǎn)型為FAB-Lite或FAB-less，預(yù)期將帶動(dòng)IC產(chǎn)業(yè)Out-sourcing風(fēng)潮；由于全球名列前茅的晶圓代工廠及封測廠商都在臺(tái)灣，預(yù)期臺(tái)灣將是這一波Out-sourcing需求下最大受惠者。

此外，北京奧運(yùn)帶來消費(fèi)性及通訊產(chǎn)品需求，如DTV/HDTV、DSC、MP3、GPS、3G手機(jī)及行動(dòng)電視，也為臺(tái)灣IC產(chǎn)業(yè)帶來龐大商機(jī)，因此拓墣認(rèn)為2008年臺(tái)灣整體IC產(chǎn)業(yè)成長動(dòng)能將優(yōu)于全球。預(yù)估2008年臺(tái)灣IC設(shè)計(jì)產(chǎn)值為4,324億新臺(tái)幣，IC制造產(chǎn)值為9,023億新臺(tái)幣，IC封測產(chǎn)值為3,863億，而YoY分別為12%、22%及20%，IC整體產(chǎn)值為17,210億新臺(tái)幣，YoY 18.9%。

針對(duì)未來高效能與節(jié)能需求，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將朝向「高度系統(tǒng)整合」與「制程微縮」兩大技術(shù)趨勢(shì)發(fā)展。「高度系統(tǒng)整合技術(shù)」如SoC、SiP及3D IC，除可縮小終端系統(tǒng)產(chǎn)品體積，耗電、效能、成本表現(xiàn)也較傳統(tǒng)制程為優(yōu)。

「制程微縮」可提升效能與節(jié)能并降低IC價(jià)格，例如45nm制程將較前一世代65nm制程提升40%的效能，同時(shí)功耗降低10~20%；低功耗制程部份，45nm的靜態(tài)(static)功耗和65nm制程相比，降低幅度則高達(dá)50%；而FD SOI (全空乏絕緣層覆硅)制程功耗也將較Bulk CMOS制程降低40%。

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