為防止全球變暖而制定的國際條約——《京都議定書》的第1承諾期(2008~2012年)已近在咫尺。為了履行其決定的二氧化碳減排,減少能源消耗量必不可少,為此在元件領(lǐng)域,節(jié)能技術(shù)的開發(fā)引起人們的注意?!?strong>功率半導體”為其中的焦點。
功率半導體應用于汽車(混合動力車)的電力轉(zhuǎn)換部分、空調(diào)等家電產(chǎn)品的馬達控制部分。以空調(diào)為例,使用功率半導體進行變頻控制能夠精密地改變馬達的旋轉(zhuǎn)速度,與以一定的旋轉(zhuǎn)速度進行開關(guān)控制相比,耗電量可減少約70%。功率模塊(集成了功率半導體)大型廠商三菱電機估算,僅日本生產(chǎn)的空調(diào),通過變頻控制獲得的節(jié)能總量就達110萬kW,“相當于一座標準核電站”(三菱電機高級常務執(zhí)行董事半導體元件業(yè)務本部長長山安治)。
在此之前,功率模塊的全球市場規(guī)模一直以10%的年增長率穩(wěn)步擴大,隨著與環(huán)境問題密切相關(guān)的節(jié)能意識的加強,今后增長率有望進一步提高。在節(jié)能家電產(chǎn)品尚未普及的BRICs(巴西、俄羅斯、印度、中國)地區(qū),發(fā)展將尤為迅速(例如中國空調(diào)的變頻化率僅為3~4%)。三菱電機表示,“將在中長期把海外銷售比例提高到50%”(長山)。
目前功率半導體的主流是使用硅材料的IGBT(絕緣柵雙極晶體管模塊)元件,IGBT元件的性能從1985年開始逐漸得到改善,目前已經(jīng)進入了第5代。1~2年后問世的第6代預計將成為硅元件的頂峰,其后將有待于耐壓能力為硅元件10倍、熱傳導率為硅元件3倍的SiC元件。但是在目前,用于替代硅IGBT元件的SiC元件還沒有實用化的計劃。這是因為目前還沒有廠商能夠以低成本提供低缺陷密度的SiC底板。美國Cree是目前最熱門的供應商候選。能否徹底改變美國廠商主導的局面,將是對日本廠商快速開發(fā)能力的一次考驗。
在最新的功率半導體技術(shù)中,開關(guān)速度是最顯眼的屬性,但是在實際電路中,高邊緣速率會造成獨有的問題。本博客將講解這個問題和簡單的解決方法。
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