松下電器與瑞薩科技今天宣布，兩家公司已開始對(duì)45nm SoC(系統(tǒng)級(jí)芯片)半導(dǎo)體制造技術(shù)進(jìn)行全面整合測試。該工藝技術(shù)是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑(NA)和ArF(氬氟化物)浸入式微影系統(tǒng)進(jìn)行的全面整合。

       松下和三菱早在1998年就開始了工藝開發(fā)的合作。在三菱和日立合并了半導(dǎo)體業(yè)務(wù)并組成瑞薩之后，瑞薩就取代了三菱，并在此后與松下聯(lián)合研發(fā)，開發(fā)出了130納米，90納米和65納米工藝技術(shù)。

       雙方在開發(fā)45納米工藝上的合作從去年10月開始，當(dāng)時(shí)，雙方總裁都建議要把合作擴(kuò)展到45納米工藝開發(fā)。但是雙方并沒有就此事發(fā)表正式聲明，因?yàn)楫?dāng)時(shí)一個(gè)由瑞薩、日立和東芝合資建廠的項(xiàng)目正在籌劃中，而這個(gè)項(xiàng)目后來以失敗而告終。

       該研發(fā)小組打算將其它新技術(shù)結(jié)合到其45納米工藝技術(shù)中，例如應(yīng)變硅和ELK多層接線模塊，這是一種利用相對(duì)電容率較低的層間絕緣薄膜的銅接線技術(shù)。

       預(yù)期目前的聯(lián)合開發(fā)項(xiàng)目將在2007年6月完成，于2008財(cái)年開始投入量產(chǎn)。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進(jìn)移動(dòng)產(chǎn)品和網(wǎng)絡(luò)消費(fèi)類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級(jí)芯片。除了先進(jìn)級(jí)的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計(jì)劃在開發(fā)項(xiàng)目中采用其他新技術(shù)，包括引入應(yīng)力的高遷移率晶體管3和ELK(K=2.4)多層布線模塊。

       這個(gè)新項(xiàng)目是雙方從2005年10月開始合作的第五階段的一部分。給人留下深刻印象的記錄包括，2001年完成的130nm DRAM融合工藝、2002年的90nm SoC工藝，以及2004年的90nm DRAM融合工藝和2005年的65nm SoC工藝結(jié)點(diǎn)開發(fā)項(xiàng)目。

       東芝、索尼和NEC電子也在日本合組了另一個(gè)研發(fā)小組來開發(fā)45納米工藝技術(shù)。

       術(shù)語解釋：

       全面整合：一種涉及所有晶圓工藝生產(chǎn)技術(shù)的全面整合，而不是限定于個(gè)別的組成模塊。

       ArF浸入式微影系統(tǒng)：一種在投影鏡頭和晶圓之間間隙中充滿液體以增加分辨率的技術(shù)，它可以增加有效透鏡直徑。

       引入應(yīng)力的高遷移率晶體管：一種在晶體管中引入局部應(yīng)力來提高電流驅(qū)動(dòng)能力的技術(shù)。

       ELK多層布線模塊：一種采用低介電常數(shù)的層間絕緣薄膜的多層銅布線技術(shù)。