松下電器與瑞薩科技今天宣布，兩家公司已開始對45nm SoC(系統(tǒng)級芯片)半導體制造技術(shù)進行全面整合測試。該工藝技術(shù)是業(yè)界第一次利用1.0以上的數(shù)值孔徑(NA)和ArF(氬氟化物)浸入式微影系統(tǒng)進行的全面整合。

       松下和三菱早在1998年就開始了工藝開發(fā)的合作。在三菱和日立合并了半導體業(yè)務并組成瑞薩之后，瑞薩就取代了三菱，并在此后與松下聯(lián)合研發(fā)，開發(fā)出了130納米，90納米和65納米工藝技術(shù)。

       雙方在開發(fā)45納米工藝上的合作從去年10月開始，當時，雙方總裁都建議要把合作擴展到45納米工藝開發(fā)。但是雙方并沒有就此事發(fā)表正式聲明，因為當時一個由瑞薩、日立和東芝合資建廠的項目正在籌劃中，而這個項目后來以失敗而告終。

       該研發(fā)小組打算將其它新技術(shù)結(jié)合到其45納米工藝技術(shù)中，例如應變硅和ELK多層接線模塊，這是一種利用相對電容率較低的層間絕緣薄膜的銅接線技術(shù)。

       預期目前的聯(lián)合開發(fā)項目將在2007年6月完成，于2008財年開始投入量產(chǎn)。新的45nm工藝將用來制造松下和瑞薩用于先進移動產(chǎn)品和網(wǎng)絡消費類電子產(chǎn)品的系統(tǒng)級芯片。除了先進級的ArF浸入式光刻外，兩家公司還計劃在開發(fā)項目中采用其他新技術(shù)，包括引入應力的高遷移率晶體管3和ELK(K=2.4)多層布線模塊。

       這個新項目是雙方從2005年10月開始合作的第五階段的一部分。給人留下深刻印象的記錄包括，2001年完成的130nm DRAM融合工藝、2002年的90nm SoC工藝，以及2004年的90nm DRAM融合工藝和2005年的65nm SoC工藝結(jié)點開發(fā)項目。

       東芝、索尼和NEC電子也在日本合組了另一個研發(fā)小組來開發(fā)45納米工藝技術(shù)。

       術(shù)語解釋：

       全面整合：一種涉及所有晶圓工藝生產(chǎn)技術(shù)的全面整合，而不是限定于個別的組成模塊。

       ArF浸入式微影系統(tǒng)：一種在投影鏡頭和晶圓之間間隙中充滿液體以增加分辨率的技術(shù)，它可以增加有效透鏡直徑。

       引入應力的高遷移率晶體管：一種在晶體管中引入局部應力來提高電流驅(qū)動能力的技術(shù)。

       ELK多層布線模塊：一種采用低介電常數(shù)的層間絕緣薄膜的多層銅布線技術(shù)。