PConline廣州12月25日東芝繼在第四季度利用三星NAND型MLC制程閃存產(chǎn)能投產(chǎn)不順而在市場上四處活躍，全力為自己產(chǎn)品打造輿論優(yōu)勢后，日前再度放言將在后年將大量增加NAND型閃存產(chǎn)能，期待2008年的最終產(chǎn)能能夠比今年年底增長2倍以上，此言一出引起業(yè)界一陣轟動，有業(yè)內(nèi)人士評論稱，大家都在擴產(chǎn)備戰(zhàn)，未來NAND型閃存供給情況將不可避免面臨過剩局面，產(chǎn)業(yè)利潤很快會被稀釋。 

　　根據(jù)東芝半導體負責人室町正志表示，東芝期待在2008年年底產(chǎn)較今年年底增長2倍多，達到月產(chǎn)30萬片12寸晶圓的目標。為了達成這個目標，東芝將投入大量資金全力擴建12寸晶圓廠產(chǎn)能，明年下半年已經(jīng)鐵定增加一座12寸晶圓廠。由于資源已經(jīng)全力集中在上游擴產(chǎn)，因此東芝將下游的工藝流程交給其他廠商進行代工。

　　在大陸以1GB SD卡跌破100元為標志性事件的閃存降價風勁吹下，由三星、東芝、現(xiàn)代以及IM FLASH（英特爾NAND型閃存合資廠）所引發(fā)的增產(chǎn)積累高庫存的影響，已經(jīng)日益明顯。室町正志還表示，明年一月份東芝的65納米工藝制程將會正式上路，生產(chǎn)16GB的NAND型閃存，到了明年7月將會竣工Fab4晶圓廠。屆時東芝“彈藥充足”，有希望在后年達成產(chǎn)能增長2.5倍的目標。

　　由于東芝大幅擴產(chǎn)，而三星的MLC制程依然在逐步理順中，因此雙方在產(chǎn)能上的差距在第四季度并無出現(xiàn)大幅拉大跡象。