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IBM和TDK聯(lián)手研發(fā)磁阻內(nèi)存系統(tǒng)啟動(dòng)只需數(shù)秒

時(shí)間：2007-08-21 11:30:00

關(guān)鍵字： IBM 內(nèi)存磁阻 TDK

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從國(guó)外媒體處獲悉：美國(guó)IBM公司和日本TDK公司日前宣布，將發(fā)起一項(xiàng)聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃，推動(dòng)磁阻內(nèi)存（MRAM）的量產(chǎn)和市場(chǎng)推廣。

　　傳統(tǒng)內(nèi)存使用電荷存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，磁阻內(nèi)存使用電磁性能存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，它沒(méi)有讀寫次數(shù)限制，功耗更低，速度比目前的閃存還要快，被認(rèn)為是內(nèi)存技術(shù)的未來(lái)。不過(guò)，目前磁阻內(nèi)存的生產(chǎn)成本還比較高。

　　IBM公司和TDK公司宣布，聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃的重點(diǎn)是開發(fā)高容量、高密度的磁阻內(nèi)存電路，可以當(dāng)作單獨(dú)的內(nèi)存芯片，或是集成到其他芯片上。

　　專家表示，將來(lái)如果磁阻內(nèi)存獲得推廣，人們?cè)趲酌腌娭畠?nèi)啟動(dòng)系統(tǒng)將不是夢(mèng)想。因?yàn)榇抛鑳?nèi)存的數(shù)據(jù)斷電也可自行保存，無(wú)須再?gòu)挠脖P上拷入。

　　聯(lián)合研發(fā)計(jì)劃為期四年，將在IBM公司和TDK公司的多個(gè)研究機(jī)構(gòu)內(nèi)進(jìn)行，其中包括TDK公司在美國(guó)加州Milpitas市的研發(fā)中心。

　　值得一提的是，今年三月份，中國(guó)科學(xué)院物理所宣布，已經(jīng)研發(fā)出了一種全新的磁阻內(nèi)存，比其他廠商的成果相比，功耗更低、芯片面積更小。

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