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日本無(wú)晶圓公司Genusion透露新型4兆閃存技術(shù)

時(shí)間：2007-08-30 11:21:00

關(guān)鍵字：晶圓閃存技術(shù) GEN IO

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日本無(wú)晶圓芯片設(shè)計(jì)公司Genusion Inc.日前透露其已將新型4兆閃存技術(shù)用于生產(chǎn)。

據(jù)悉，Genusion一直開發(fā)其所謂的“B4-Flash”技術(shù)，該技術(shù)利用公司專有的B4-HE(back bias assisted band-to-band tunneling induced hot electron)注入技術(shù)來(lái)進(jìn)行編程。

該技術(shù)解決了一個(gè)編程速度的問(wèn)題。公司稱，這項(xiàng)技術(shù)改進(jìn)了編程速度，這是目前閃存中最重要的問(wèn)題之一。

目前閃存編程速度在1-10兆比特/秒，相當(dāng)于硬盤的十分之一。根據(jù)該公司的說(shuō)法，B4-HE技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)100兆比特/秒的編程速度。

該公司還稱其已使用目前的閃存工藝技術(shù)試產(chǎn)了4兆測(cè)試芯片，預(yù)計(jì)2009年將正式投入生產(chǎn)。據(jù)悉，該公司將在IEEE非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)研討會(huì)上展示其最新的成果。

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