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DRAM替代品現(xiàn)身軟性憶阻器開(kāi)啟內(nèi)存科技新大門

時(shí)間：2009-06-10 09:43:14

關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存憶阻器 NI

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[導(dǎo)讀]據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開(kāi)發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開(kāi)新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相

據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)和技術(shù)研究院 (U.S. National Institute of Standards and Technology；NIST) 目前正在進(jìn)行軟性憶阻器 (Flexible memristor) 的開(kāi)發(fā)研究，希望能為內(nèi)存科技打開(kāi)新的大門。這項(xiàng)技術(shù)雖然相當(dāng)創(chuàng)新，但其實(shí)去年已經(jīng)先由惠普對(duì)外展示它靈活的形式，讓外界為之驚艷。

根據(jù)《CENT》報(bào)導(dǎo)，NIST 表示目前憶阻器 (memristor) 是以防曬乳與牙膏的原料─二氧化鈦制造而成，是種輕薄又靈活的透明聚合物。NIST 研究團(tuán)隊(duì)表示，這項(xiàng)新開(kāi)發(fā)的憶阻器能在不到 10 伏特的電流下運(yùn)作，即使電力被切斷也可維持記憶能力，還能在伸縮逾 4000次的情況下，仍能有效運(yùn)作。

Nist 研究員 Nadine Gergel-Hackett 在一份聲明中指出：“我們希望能在電子產(chǎn)品被廣泛運(yùn)用的當(dāng)下，創(chuàng)造一種軟性且靈活的內(nèi)存組件，進(jìn)一步推動(dòng)軟性電子產(chǎn)品的發(fā)展和計(jì)量學(xué)”。

現(xiàn)在，NIST 的研究小組用一種相當(dāng)便宜的技術(shù)就能制造出憶阻器，他們透過(guò)二氧化鈦在旋轉(zhuǎn)時(shí)“溶膠凝膠法”的液態(tài)形式，把它擺放在透明的薄片上，然后讓聚合物在室溫下變干。研究人員在一份報(bào)告中指出，這樣制造出來(lái)的憶組體能保持非揮發(fā)性長(zhǎng)達(dá) 14 天。

Nadine Gergel-Hackett 更指出：“由于憶阻器能夠從液體中被制出，未來(lái)具有很大的發(fā)展?jié)摿Γf(shuō)不定未來(lái)憶阻體的制造過(guò)程能變得簡(jiǎn)單又便宜，就像我們目前把它印在透明的幻燈片上的做法一樣。”

有關(guān)憶阻器的假設(shè)其實(shí)早在 70 年代就已經(jīng)被學(xué)者提出，但一直到 2008 年才由惠普的研究人員真正證明它的存在。由于憶阻體在沒(méi)有電流通過(guò)下，還能記憶先前通過(guò)的電量，民眾未來(lái)就不必?fù)?dān)心計(jì)算機(jī)因?yàn)橹匦麻_(kāi)機(jī)而喪失數(shù)據(jù)。這項(xiàng)技術(shù)也進(jìn)一步提升芯片性能，更能讓芯片體積變得更加輕巧，甚至取代現(xiàn)今所使用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM)。

NIST 也強(qiáng)調(diào)，憶阻器能夠?yàn)樾酒瑤?lái)更多發(fā)展空間，不僅適用各項(xiàng)科技發(fā)領(lǐng)域，甚至可用于監(jiān)測(cè)血糖和心跳的醫(yī)療用途等。

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