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英特爾宣布突破NAND閃存20納米加工工藝極限

時(shí)間：2009-10-29 08:55:44

關(guān)鍵字：英特爾 NAND閃存內(nèi)存 DRAM

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[導(dǎo)讀]據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)，這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本?！　∮⑻貭栄芯繂T和內(nèi)存

據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項(xiàng)新技術(shù)。這兩家公司稱(chēng)，這種新技術(shù)將使非易失性存儲(chǔ)器突破NAND閃存的20納米的極限，使加工工藝縮小到5納米，從而更加節(jié)省成本。

　　英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開(kāi)發(fā)經(jīng)理AlFazio星期三向記者解釋說(shuō)，這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作。這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲(chǔ)屬性縮小到一個(gè)內(nèi)存類(lèi)。

　　簡(jiǎn)單地說(shuō)，這個(gè)技術(shù)能夠使DRAM內(nèi)存和存儲(chǔ)結(jié)合為一個(gè)高速的、高帶寬的架構(gòu)。但是，這個(gè)飛躍還有很長(zhǎng)的路要走?；诒局苋嫉倪@種技術(shù)的產(chǎn)品還要等許多年才能出現(xiàn)。

　　Fazio和Numonyx公司高級(jí)技術(shù)研究員GregAtwood解釋的這項(xiàng)技術(shù)突破稱(chēng)作PCMS（相變內(nèi)存與開(kāi)關(guān)）的相變內(nèi)存（PCM）技術(shù)的一個(gè)進(jìn)步。這種技術(shù)能夠在同一個(gè)基本的硫族(元素)化物材料商創(chuàng)建薄膜內(nèi)存單元機(jī)器控制薄膜選擇器，并且在一個(gè)交叉點(diǎn)架構(gòu)上把這些元件組合在一起。

　　這種新的相變技術(shù)也許有一天會(huì)把你的內(nèi)存和存儲(chǔ)融合為一個(gè)幸福的家庭。

　　這種新的薄膜選擇器名為雙向閾值開(kāi)關(guān)，允許把多層的內(nèi)存/選擇器層放在一個(gè)CMOS基礎(chǔ)上，以創(chuàng)建高密度、高帶寬的PCM內(nèi)存。

　　這種多層堆疊是這個(gè)目標(biāo)。本周三宣布的技術(shù)突破是一種可工作的64MB單層版本的這種新的內(nèi)存架構(gòu)。英特爾將在今年12月在馬里蘭州巴爾迪摩舉行的國(guó)際電子設(shè)備大會(huì)上發(fā)表一篇論文，正式介紹這種內(nèi)存架構(gòu)。

　　不過(guò)，這些多層的新內(nèi)存目前正在設(shè)計(jì)圖版上。正如Atwood說(shuō)的那樣，第一次是難度最大的一層。

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