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三星加速制程微縮　DRAM進(jìn)入40納米世代

時(shí)間：2009-11-18 08:12:18

關(guān)鍵字： 40納米 DRAM 三星爾必達(dá)

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[導(dǎo)讀]三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必

三星電子(Samsung　Electronics)加速制程微縮，積極導(dǎo)入40納米制程，第4季已開始小幅試產(chǎn)DDR3，預(yù)計(jì)2010年下半40納米將成為主流制程，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先競爭同業(yè)，而美光 (Micron)陣營50納米制程2010年大量產(chǎn)出，爾必達(dá)(Elpida)也將導(dǎo)入Extra 65納米制程，之后跳40納米制程，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)成本進(jìn)一步下滑。

三星目前56納米制程DRAM產(chǎn)能比重超過一半，并已開始小量采用新一代的40納米制程生產(chǎn)DDR3芯片，成本結(jié)構(gòu)再度領(lǐng)先同業(yè)，市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估，年底前三星40納米制程由于剛開始，因此產(chǎn)能比重還停在個(gè)位數(shù)，預(yù)計(jì)2010年第1季40納米制程產(chǎn)能可超過10%。

目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)是4大陣營各占一方，雖然幾乎沒有新產(chǎn)能加入，但制程微縮和合作對象的改變，也牽動各廠版圖風(fēng)貌。

以 2009年第3季全球市占率來看，三星電子仍是穩(wěn)坐全球龍頭，市占率超過30%，海力士(Hynix)市占率也超過20%，穩(wěn)居二哥寶座，其次是爾必達(dá)和美光，兩者合計(jì)策略聯(lián)盟廠商，原本市占率相當(dāng)接近，但爾必達(dá)市占率逐漸提升，拉開雙方距離，然預(yù)計(jì)2010年各自導(dǎo)入新制程后，將會再有一番纏斗。

相較于三星DRAM制程再度領(lǐng)先，海力士也將同步導(dǎo)入40納米制程，而美光陣營包括南亞科和華亞科等，2010年將大量產(chǎn)出50納米制程，由于華亞科整體13萬片產(chǎn)能相當(dāng)可觀，預(yù)計(jì)2010年可協(xié)助美光陣營擴(kuò)展市占率。

再者，爾必達(dá)陣營也即將導(dǎo)入Extra 65納米制程，在不用額外增添太多的資本支出下，維持成本下降的競爭力，業(yè)界也認(rèn)為，爾必達(dá)Extra 65納米制程的成本競爭力，其實(shí)不輸海力士50納米制程，加上2010年茂德為爾必達(dá)代工產(chǎn)能加入，也看好2010年爾必達(dá)的成長性。

整體來看，三星目前仍是制程領(lǐng)先者，臺廠原本兩個(gè)世代制程，2010年可逐漸追上，2010年全球DRAM產(chǎn)業(yè)逐漸走向50/40納米制程，驅(qū)動產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)成本進(jìn)一步下滑。

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