從2006年第一塊商用產(chǎn)品問世以來，憑借高可靠性、快速讀寫、非易失性等諸多優(yōu)勢，MRAM(磁性隨機存儲器)這種創(chuàng)新的存儲技術受到了高度關注。短短幾年時間，MRAM已被從計算機、工控，到能源管理等眾多行業(yè)采用。隨著存儲密度的不斷提高，以Everspin公司新推出的16Mb MRAM系列為例，這一容量的MRAM已可取代用于CPU緩存的“SRAM+電池”的解決方案。

Everspin公司于2008年6月從飛思卡爾半導體獨立出來，是目前市場上唯一一家能夠提供商用MRAM產(chǎn)品的公司，其廣泛的MRAM產(chǎn)品容量從256Kb到16Mb，支持并行和串行接口，具備商業(yè)級、工業(yè)級，以及延伸溫度極可選。

Everspin的專利MRAM技術是以可沉積在標準邏輯制程上的磁性隧道結 (MTJ)儲存單元為基礎，如下圖所示。當自由層(free layer)被施予和固定層(fixed layer)相同方向的極化時，MTJ的隧道結(tunnel barrier)便會顯現(xiàn)出低電阻特性。而當自由層被施予反方向的極化時，MTJ便會有高電阻。此磁阻效應可使MRAM不需改變內存狀態(tài)，便能快速讀取數(shù)據(jù)。

當流經(jīng)兩金屬線的電流足以切換MTJ的磁場時，在兩金屬線交點的MTJ就會被極化(寫入)，如下圖所示。MRAM的原理說來簡單，但能夠以微弱電流將自由層翻轉絕非易事。
 

Everspin公司首席運營官Saied Tehrani博士從1995年開始一直主導MRAM的研發(fā)進程，基于在MRAM技術開發(fā)的成就，Tehrani博士還獲得了IEEE Dan Noble獎項。

 
Everspin公司首席運營官Saied Tehrani博士

據(jù)Tehrani博士介紹，MTJ儲存單元的優(yōu)點之一是其采用的磁性極化的方式與傳統(tǒng)的電荷存儲方式不同，有效避免了電荷漏電的問題，從而保證數(shù)據(jù)能夠在寬廣的溫度范圍內被長期保存。第二個優(yōu)點是，兩個狀態(tài)間的磁性極化切換不會涉及到實際的電子或原子移動，因此不會有耗損機制的存在。

不久前，恒憶正式推出全新系列相變存儲器（PRAM），它們具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設計簡易性，適用于固線和無線通信設備、消費電子、PC和其他嵌入式應用設備。

和同樣備受關注的相變存儲器、鐵電存儲器（FRAM）相比，MRAM有什么特色呢？

Tehrani博士表示，在上述三種存儲器中，MRAM的讀寫速度最快，媲美DRAM和SRAM，所以特別適合服務器和陣列儲存用的RAID。采用MRAM方案，關鍵數(shù)據(jù)寫入日志和高速緩存不但能以SRAM速度進行更新，同時在斷電期間仍能保存數(shù)據(jù)。相對和言，PRAM的速度略低但容量更大，目標應用與現(xiàn)有的NOR閃存相同。而和FRAM相比，MRAM在讀寫速度和容量上略勝一籌。不過，由于進入市場更早，F(xiàn)RAM在中國的智能電表等市場中已經(jīng)搶占了先機。

問及MRAM產(chǎn)品的未來，Tehrani博士對“以MRAM取代DRAM”滿懷信心。他表示，如果成本具有競爭力，MRAM的容量超過256Mb，我們就可以期待這種新型存儲器取代DRAM。