其實(shí)NAND閃存的價(jià)格今年一直在走低，然而DRAM內(nèi)存則一直在漲，不過內(nèi)存的漲價(jià)也即將終止，進(jìn)入第四季度后價(jià)格將會下降，終結(jié)價(jià)格連續(xù)九季上漲的超級周期，雖然下半年是產(chǎn)業(yè)的傳統(tǒng)旺季，但是市場持續(xù)供過于求依然會導(dǎo)致跌價(jià)。

根據(jù)DRAMeXchange的調(diào)研，今年第三季度DRAM的合約價(jià)漲幅會縮小到1~2%，到了第四季度可能會下跌5%，而且不排除跌幅擴(kuò)大的可能，因?yàn)橄掳肽闐RAM的市場需求疲軟，新的智能手機(jī)硬件規(guī)格難以吸引換機(jī)需求，導(dǎo)致出貨平淡，而消費(fèi)級的PC市場則由于Intel方面的供貨不足會受到?jīng)_擊。

雖然各個(gè)內(nèi)存生產(chǎn)廠都意識到2019年DRAM內(nèi)存會供過于求，并試圖以控制產(chǎn)能擴(kuò)張，然而由于1X/1Y制程的比重持續(xù)增加和良品率的穩(wěn)定提升，導(dǎo)致今年Q3\Q4的產(chǎn)出持續(xù)增加，特別是1Gb的服務(wù)器內(nèi)存顆粒為最，所以服務(wù)器內(nèi)存的價(jià)格很快就會因?yàn)楣┻^于求而走低，最終會帶動整體DRAM內(nèi)存的價(jià)格走低。

明年雖然各家都想控制產(chǎn)能，但是投片量依然逐漸上升，再加上1X/1Y工藝走向成熟，預(yù)計(jì)整體供給會提升22%，然而價(jià)格依然會受需求的變化而變動，目前預(yù)估DRAM明年的年均價(jià)格會下降15%到20%左右。

而NAND閃存均價(jià)會在今年Q3下跌10%，到了Q4會收到中美貿(mào)易戰(zhàn)的波及，預(yù)計(jì)跌幅會比Q3更大，跌幅會擴(kuò)大到10%到15%，渠道市場主流的3D TLC閃存合約價(jià)會下跌超過15%。而且現(xiàn)在消費(fèi)級電子產(chǎn)品的需求不如預(yù)期，服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心需求雖然穩(wěn)定增長，但是由于利潤較高，各個(gè)廠商的投入都較大，導(dǎo)致企業(yè)級SSD的價(jià)格在不斷走低。

2018年下半年64/72層3D NAND的良品率和產(chǎn)能依然會有所增長，閃存供應(yīng)商的實(shí)際產(chǎn)能都比原來預(yù)計(jì)的要高，預(yù)計(jì)2019年上半年是傳統(tǒng)的需求淡季，在加上中美貿(mào)易戰(zhàn)的影響，各種消費(fèi)級電子產(chǎn)品的出貨量都不容樂觀，NAND的價(jià)格會繼續(xù)下跌，合約價(jià)可能會下跌25%到30%，所以廠商可能會放緩96層3D NAND工藝的轉(zhuǎn)變和產(chǎn)能的擴(kuò)充，屆時(shí)不知道會不會產(chǎn)生供需缺口，目前來看2019年Q4的NAND產(chǎn)能會比2018年Q4增長5%，不過3D NAND的產(chǎn)能會大幅增長20%。