在硬盤廠商之間的較量中，比拼的不僅僅是性能參數(shù)上的快速，對(duì)于推出新技術(shù)、新產(chǎn)品的速度也同樣要追求一個(gè)“快”字。

一周之前，三星公司才剛剛宣布推出了世界上首款擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的內(nèi)存產(chǎn)品。僅僅一個(gè)禮拜的時(shí)間，同樣是三星公司緊接著又宣布即將推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤。

不過(guò)令人感到遺憾的是，目前采用新技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤只有面向高等級(jí)企業(yè)推出的480GB和960GB兩種版本的產(chǎn)品。也就是說(shuō)，憑借V-NAND技術(shù)所帶來(lái)的大容量及高可靠性來(lái)說(shuō)正是非常適合高等級(jí)企業(yè)用戶，對(duì)此新產(chǎn)品的推出已經(jīng)具有了非常大的意義。

三星公司在存儲(chǔ)技術(shù)上一向處于世界領(lǐng)先地位，尤其是在NAND閃存芯片上的研究更是如此。3D Vertical NAND技術(shù)采用了不同于傳統(tǒng)NAND閃存的排列方式，該芯片通過(guò)自家改進(jìn)性Charge Trap Flash技術(shù)，在一個(gè)3D的空間內(nèi)垂直互連各個(gè)層面的存儲(chǔ)單元，使得在同樣的平面內(nèi)獲得更多的存儲(chǔ)空間。

此外，該芯片最高可堆疊24層，拓展能力是普通平面型閃存的兩倍以上，且可靠性提升2至10倍，寫入速度提升2倍。雖然首款量產(chǎn)型號(hào)僅為16GB，但是經(jīng)過(guò)改進(jìn)，未來(lái)最高出現(xiàn)單片存儲(chǔ)空間為128GB的芯片并不遙遠(yuǎn)。

同時(shí)三星還表示，3D Vertical NAND技術(shù)除了能夠做到比20nm工藝的平面NAND提升2倍以上的容量以外，3D CTF擁有比10納米工藝的Floating gate NAND多一倍的可靠性與性能提升。

其實(shí)廣大普通消費(fèi)者無(wú)需過(guò)分失望，三星公司官方已經(jīng)承諾表示未來(lái)一定會(huì)將擁有3D垂直NAND Flash技術(shù)的SSD固態(tài)硬盤產(chǎn)品推向普通消費(fèi)級(jí)PC市場(chǎng)。因此我們完全可以相信大容量SSD固態(tài)硬盤時(shí)代的來(lái)領(lǐng)已經(jīng)為期不遠(yuǎn)了。