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三星宣布開始量產(chǎn)30nm制程2Gb密度DDR3內(nèi)存芯片

時間：2010-07-22 09:22:34
關鍵字： 三星    DDR3    內(nèi)存芯片    GB   
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[導讀]今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1

今年早些時候，三星公司曾宣布完成了30nm制程2Gb密度 DDR3內(nèi)存芯片的開發(fā)工作，而最近他們則宣布這款芯片產(chǎn)品已經(jīng)進入批量生產(chǎn)階段。這款 30nm制程DDR3芯片可以在1.35V電壓條件下工作在1866MHz數(shù)據(jù)傳輸率下，加壓到1.5V之后數(shù)據(jù)傳輸率則可提升至2133MHz，適用于 臺式機，筆記本，服務器，上網(wǎng)本，移動設備的各種應用。

三星表示目前他們正在開發(fā)4Gb密度的30nm制程DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，預計這款產(chǎn)品今年才會投入使用。

來源：CnBeta

作者：zhaobin

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