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Applied Materials宣布開(kāi)發(fā)出深寬比高達(dá)30：1的化學(xué)氣相淀積技術(shù)

時(shí)間：2010-08-26 09:22:34

關(guān)鍵字： MATERIALS APPLIED 隔離內(nèi)存

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[導(dǎo)讀]Applied Materials公司近日宣布開(kāi)發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)，這種技術(shù)能為20nm及更高等級(jí)制程的存儲(chǔ)/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱(chēng)，這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過(guò)

Applied Materials公司近日宣布開(kāi)發(fā)出了一種新的化學(xué)氣相淀積(CVD)技術(shù)，這種技術(shù)能為20nm及更高等級(jí)制程的存儲(chǔ)/邏輯電路用晶體管淀積高質(zhì)量的隔離層結(jié)構(gòu)。據(jù)Applied Materials公司宣稱(chēng)，這些隔離結(jié)構(gòu)的深寬比可超過(guò)30：1，比目前工藝對(duì)隔離結(jié)構(gòu)的要求高出5倍左右。

這項(xiàng)技術(shù)使用了Applied Materials公司名為Eterna流動(dòng)式化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)(Flowable CVD:FCVD)的技術(shù)專(zhuān)利，淀積層材料可以在液體形態(tài)下自由流動(dòng)到需要填充的各種形狀的結(jié)構(gòu)中，填充形式為自底向上，而且填充結(jié)構(gòu)中不會(huì)產(chǎn)生空隙。

Applied Materials公司還宣稱(chēng)目前采用了Eterna FCVD技術(shù)的化學(xué)氣相淀積設(shè)備已經(jīng)在六家客戶(hù)公司內(nèi)開(kāi)始裝機(jī)，這些客戶(hù)包括內(nèi)存，閃存以及邏輯芯片廠商。

化學(xué)氣相淀積(CVD)是通過(guò)氣體混合的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層固體膜的工藝，可用來(lái)淀積各種氧化物，氮化物，多晶硅以及金屬導(dǎo)體膜。

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