當(dāng)前位置：首頁 > EDA > 電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化

硅CMOS技術(shù)可擴(kuò)展到10nm以下

時(shí)間：2010-12-14 09:22:34

關(guān)鍵字： CMOS NAND閃存 MEMORY ADVANCED

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會(huì)議

“硅CMOS技術(shù)完全可以擴(kuò)展至10nm以下。如果能夠充分導(dǎo)入三維NAND閃存技術(shù)、可變電阻式存儲(chǔ)器(ReRAM)以及EUV曝光技術(shù)等新構(gòu)造、新材料和新工藝，硅CMOS技術(shù)將繼續(xù)保持其主導(dǎo)地位”。

半導(dǎo)體制造技術(shù)國際會(huì)議“2010 IEEE InternatiONal Electron Devices Meeting(IEDM 2010)”于2010年12月6日在美國舊金山開幕，韓國三星尖端技術(shù)研究所(SAMSung Advanced Institute of Technology，SAIT)所長Kinam Kim在整場演講中率先上臺(tái)，充滿自信地發(fā)表了本文開篇那番話。

在DRAM和NAND閃存等方面，目前正在探討伴隨制造技術(shù)微細(xì)化而出現(xiàn)的多種技術(shù)課題。Kim呼吁與會(huì)人士必須勇敢面對這些課題，并在今后通過導(dǎo)入多種新技術(shù)來加以克服。

在不少人認(rèn)為難以微細(xì)化至20nm以下工藝的DRAM方面，Kim表示2010～2015年，在4F2構(gòu)造存儲(chǔ)器單元、硅貫通電極(TSV)以及DRAM芯片上集成光輸入輸出電路等將取得進(jìn)展。并預(yù)計(jì)接下來在2020年以后，通過自旋存儲(chǔ)器(Spin-Based Memory)技術(shù)的實(shí)用化，大容量隨機(jī)存儲(chǔ)器將繼續(xù)取得進(jìn)步。

在有人認(rèn)為現(xiàn)有浮柵構(gòu)造同樣會(huì)在20nm工藝前后出現(xiàn)微細(xì)化極限的NAND閃存方面，Kim介紹了旨在打破極限的技術(shù)開發(fā)工作。首先，要想實(shí)現(xiàn)相當(dāng)于20nm以下工藝的高集成化，就必須導(dǎo)入三維單元積層技術(shù)。Kim表示，由此“可以利用舊幾代的制造技術(shù)，實(shí)現(xiàn)與普通二維單元微細(xì)化至10nm以下工藝范圍時(shí)相當(dāng)?shù)母呒啥?rdquo;。

Kim指出，2015年以后作為三維NAND閃存的后續(xù)產(chǎn)品，主角將有可能轉(zhuǎn)為采用氧化物材料等的新型非易失性存儲(chǔ)器。Kim高度評(píng)價(jià)了ReRAM的前景，認(rèn)為“后NAND閃存的最有力候補(bǔ)是ReRAM。另外，在新一代通用存儲(chǔ)器(Universal Mmemory)中最有希望的估計(jì)還是ReRAM”。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機(jī)構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點(diǎn)，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實(shí)性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時(shí)聯(lián)系本站刪除。

換一批

CMOS耗盡模式技術(shù)具有許多優(yōu)勢，第二部分

眾所周知，當(dāng) V GS 在增強(qiáng)模式下為正時(shí)，N 型耗盡型 MOSFET 的行為類似于 N 型增強(qiáng)型 MOSFET;兩者之間的唯一區(qū)別是 V GS = 0V時(shí)的漏電流 I DSS量。增強(qiáng)型 MOSFET 在柵極未通電時(shí)不應(yīng)...

關(guān)鍵字： CMOS 耗盡模式

[產(chǎn)業(yè)新聞]

蘇伊士加大投資力度鞏固其作為領(lǐng)先的水務(wù)和固廢管理企業(yè)之地位

蘇伊士集團(tuán)日前發(fā)布了2027年戰(zhàn)略規(guī)劃。集團(tuán)將聚焦于主營業(yè)務(wù)，即水務(wù)和固廢，并壯大其國際化布局。集團(tuán)將攜手客戶，通過創(chuàng)新和投資，為全體股東方創(chuàng)造價(jià)值。集團(tuán)的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)4%至5%的年均營收增長，并使...

關(guān)鍵字：污水處理可持續(xù)發(fā)展管網(wǎng) ADVANCED

[通信先鋒]

閃存芯片市場韓國一家獨(dú)大！市場占有率超50%

據(jù)統(tǒng)計(jì)，隨著Intel閃存業(yè)務(wù)被SK海力士收購，韓國企業(yè)三星+SK海力士合計(jì)占市場份額已經(jīng)超過50%。

關(guān)鍵字：閃存 NAND閃存三星海力士

[產(chǎn)業(yè)新聞]

嘉信理財(cái)：中國新富人群財(cái)富健康穩(wěn)中向好，金融教育和投顧服務(wù)需求持續(xù)提升

最新發(fā)布的2022年《中國新富人群財(cái)富健康指數(shù)》表明：金融素養(yǎng)與投資風(fēng)險(xiǎn)意識(shí)呈正相關(guān)，投資者教育勢在必行新富家庭財(cái)務(wù)需求多樣，共同協(xié)商可助家庭克服理財(cái)盲點(diǎn) 新富人群期待投顧服務(wù)為財(cái)富管理保駕護(hù)航...

關(guān)鍵字： BSP ADVANCED INA 代碼

[產(chǎn)業(yè)新聞]

SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層４D NAND閃存

新聞概要公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持...

關(guān)鍵字： SK海力士 NAND閃存 CE LEVEL

[產(chǎn)業(yè)新聞]

AI收購SAL科學(xué)的專業(yè)知識(shí)和細(xì)胞增長補(bǔ)充劑

馬薩諸塞州諾伍德2022年8月2日 /美通社/ -- 領(lǐng)先的生物加工分析儀器和服務(wù)制造商Advanced Instruments（簡稱"AI"）今天宣布收購SAL Scientific Ltd...

關(guān)鍵字： AI ADVANCED INSTRUMENTS SCIENTIFIC

[美通社全球TMT]

SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存

（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存...

關(guān)鍵字： SK海力士 NAND閃存芯片 SSD

[技術(shù)解析]

MEMS和CMOS沒什么區(qū)別?快看MEMS大佬是怎么說的吧!

為增進(jìn)大家對MEMS的認(rèn)識(shí)，本文將對MEMS和CMOS的區(qū)別予以介紹。

關(guān)鍵字： MEMS CMOS 指數(shù)

[功率器件]

新的神經(jīng)CMOS正在推進(jìn)大腦研究

關(guān)于研究大腦的故事也是一個(gè)關(guān)于為此設(shè)計(jì)技術(shù)的故事。過去幾十年最成功的神經(jīng)科學(xué)設(shè)備之一是神經(jīng)探針或微小的針狀大腦植入物，它們可以從單個(gè)神經(jīng)元接收信號(hào)。記錄大腦活動(dòng)提供了一個(gè)獨(dú)特的視角，以了解神經(jīng)元如何在復(fù)雜的電路中進(jìn)行交流...

關(guān)鍵字： CMOS 大腦研究

[功率器件]

TI 提出了新的指數(shù)驅(qū)動(dòng)因素

國際固態(tài)電路會(huì)議 ( ISSCC ) 是對 CMOS 晶體管縮放的慶?；顒?dòng)。但在他的 ISSCC 全體會(huì)議上，TI 的首席技術(shù)官 Ahmad Bahai 要求采取不同的觀點(diǎn)。他沒有計(jì)算我們可以在微米級(jí) CMOS 中渲染的...

關(guān)鍵字： CMOS 功率晶體管