艾克賽利(Accelicon)，器件級建模驗證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國際絕緣體上硅大會(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。

今年的IEEE國際絕緣體上硅大會將成為工程師和科學家們分享和了解硅絕緣體上硅以及多柵CMOS技術(shù)最新趨勢的盛會。隨著近期英特爾宣布成功開發(fā)出世界上首個多柵(三柵)晶體管，并將此技術(shù)應(yīng)用于其下代22nm工藝中，基于多柵晶體管技術(shù)以及其器件模型的研究已成為當今的熱點。

艾克賽利公司首席科學家陳強(Brian Chen)博士受邀在此次大會做主題為 "An Exercise of ET/UTBB SOI CMOS Modeling and Simulation with BSIM-IMG" 的演講。陳博士將介紹艾克賽利及其合作伙伴對于BSIM-IMG模型探索性的應(yīng)用情況。模型參數(shù)是基于20nm工藝的實際數(shù)據(jù)，在艾克賽利公司旗艦產(chǎn)品MBP中提取完成的，最終的模型在不同電路中進行了驗證。

此項研究工作是艾克賽利與其合作伙伴共同完成的，包括美國加州大學伯克利分校，法國Soitec公司以及法國CEA – LETI公司。