晶圓制造服務公司宏力半導體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠商力旺電子共同宣布，雙方透過共享資源設計平臺，進一步擴大合作范圍，開發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨特開發(fā)的單次可編程OTP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術，將全面導入宏力半導體的工藝平臺，宏力半導體并將投入OTP與MTP知識產(chǎn)權(Intellectual Patent, IP)的設計服務，以提供客戶全方位的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，將可藉由低成本、高效能的優(yōu)勢，服務微控制器(MCU)與消費性電子客戶，共同開發(fā)全球市場。

宏力半導體與力旺電子自2005年起即于OTP工藝平臺展開合作，近期雙方成功推出的0.18微米3.3V/5V低成本、高效能OTP工藝平臺已有數(shù)十項產(chǎn)品相繼投入量產(chǎn)。此次擴展合作范圍，除包括原有的OTP工藝平臺，更擴大倒入至MTP領域，預計將能以更完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝平臺，強化技術服務支援廣度，滿足更多不同客戶需求。

宏力半導體企業(yè)發(fā)展與戰(zhàn)略暨法務單位副總裁傅城博士表示：“結合力旺電子卓越的技術與服務支援能力，宏力半導體將能提供客戶極具競爭優(yōu)勢的低成本嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝平臺，包括OTP與MTP技術，相信能為客戶進一步降低制造與研發(fā)成本，加速產(chǎn)品上市時間。展望未來，宏力半導體將持續(xù)發(fā)展高附加價值的差異化工藝，協(xié)助客戶在微控制器與消費性電子市場中掌握制勝先機。”

力旺電子總經(jīng)理沈士杰博士表示：“力旺電子非常榮幸能與宏力半導體展開更深入的合作，使力旺電子的單次可編程OTP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術，能夠全方位導入宏力半導體的各項工藝平臺，再加上宏力半導體在NVM IP設計服務工作的投入，為客戶帶來更具競爭性的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，未來雙方也將持續(xù)緊密合作，以提供市場更具成本效益且性能卓越的嵌入式非揮發(fā)性存儲器平臺。”

目前宏力半導體與力旺電子合作的0.18微米邏輯與高壓OTP工藝平臺已完成建置，并已進入量產(chǎn)階段多年;0.13微米OTP工藝平臺預計于2011年底通過可靠性驗證;0.18微米的MTP工藝平臺則預計于2012年Q1通過可靠性驗證，屆時可提供更加豐富的嵌入式非揮發(fā)性存儲器IP組合，進而使應用產(chǎn)品端客戶進一步受惠。