21ic電子網(wǎng)訊：深紫外光是指波長(zhǎng)100納米到280納米之間的光波，在殺菌消毒、醫(yī)療、生化檢測(cè)、高密度信息儲(chǔ)存和保密通訊等領(lǐng)域有重大應(yīng)用價(jià)值。與汞燈紫外光源相比，基于氮化鋁鎵（AlGaN）材料的深紫外發(fā)光二極管（LED）具備堅(jiān)固、節(jié)能、壽命長(zhǎng)、無(wú)汞環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)，正逐步滲入汞燈的傳統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域。同時(shí)，深紫外LED的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)又激發(fā)了許多新的消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品應(yīng)用，如白色家電的消毒模塊、便攜式水凈化系統(tǒng)、手機(jī)消毒器等，從而展現(xiàn)出廣闊的市場(chǎng)前景，成為繼半導(dǎo)體照明LED之后，全球LED研究與投資的新熱點(diǎn)。

　　研究報(bào)告顯示，未來(lái)LED市場(chǎng)可能被劃分為兩部分，一部分是面向通用照明的可見(jiàn)光LED，另一類(lèi)則是以高科技創(chuàng)新為特色的深紫外LED。與可見(jiàn)光LED相比，目前深紫外LED的發(fā)光效率和光輸出功率普遍較低。中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員張韻認(rèn)為，要從根本上提高氮化鋁鎵基深紫外LED發(fā)光效率低和出光功率低兩大性能瓶頸，重點(diǎn)要研究如何突破低位錯(cuò)密度的AlN和AlGaN材料核心外延與摻雜技術(shù)，設(shè)計(jì)出高量子效率和高光提取效率的LED器件結(jié)構(gòu)，以及開(kāi)發(fā)高可靠性的芯片制備工藝和光珠封裝技術(shù)。

　　作為國(guó)內(nèi)氮化鋁鎵基深紫外LED的重要研發(fā)機(jī)構(gòu)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體照明研發(fā)中心在國(guó)家863計(jì)劃的支持下，在氮化鋁鎵材料的外延生長(zhǎng)和摻雜以及深紫外LED芯片的制備工藝等方面積累了多年研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，目前已成功實(shí)現(xiàn)發(fā)光波長(zhǎng)從260納米到300納米的深紫外LED芯片系列，并已具備產(chǎn)業(yè)化批量生產(chǎn)能力。

　　科研人員在《應(yīng)用物理快報(bào)》發(fā)表論文指出，利用納米球技術(shù)制作的納米圖形襯底，不但改善了材料質(zhì)量，而且提高了光提取效率。280納米的深紫外LED在20毫安電流下，光輸出功率達(dá)到3毫瓦以上，外量子效率和光輸出功率相對(duì)于傳統(tǒng)平面襯底提高近1倍。他們還通過(guò)優(yōu)化封裝工藝，使封裝后的深紫外LED光珠實(shí)現(xiàn)了超過(guò)4毫瓦的光輸出功率。2013年，中科院半導(dǎo)體所的深紫外LED關(guān)鍵材料及器件制備技術(shù)被鑒定為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先、國(guó)際先進(jìn)。