低溫多晶硅TFT（low temperature poly-silicon TFT）
[導讀]利用在低溫下多結晶化的硅形成的TFT就是低溫多晶硅TFT。由于可提高載流子遷移率，電流驅動能力得到了提升，另外還可形成n通道TFT和p通道TFT，因此除了顯示器功能之外，還可在玻璃基板上一體集成以CMOS電路為基礎的周
利用在低溫下多結晶化的硅形成的TFT就是低溫多晶硅TFT。由于可提高載流子遷移率，電流驅動能力得到了提升，另外還可形成n通道TFT和p通道TFT，因此除了顯示器功能之外，還可在玻璃基板上一體集成以CMOS電路為基礎的周邊驅動電路、SRAM電路以及D-A轉換器等。配備音頻處理電路和簡單的微處理器的液晶面板也正在開發(fā)之中。
通過實現周邊驅動電路的一體化，能夠提高可靠性。這是因為可以大幅減少面板和驅動電路之間的電路連接數量的緣故。通過窄邊框化、輕量化以及增強耐振性，低溫多晶硅TFT有望用于便攜式信息終端。另外,由于電流驅動能力較高，還有望實現更高清晰度以及開口率較高的像素。
低溫多晶硅TFT的制造方法如下：首先在玻璃基板上利用等離子CVD形成非晶硅膜。然后，為提高TFT的性能（電壓一電流特性），使非晶硅形成結晶。一般情況下，通過在450℃以下的基板溫度下照射準分子激光來形成結晶。非晶硅膜因激光的能量瞬間融化凝固，因此會形成平均結晶粒徑為0.3μm左右的多晶硅。
由于可在低溫下形成多晶硅膜，因此能夠利用非晶硅TFT量產線上的多種設備。載流子遷移率達到200cm2/Vs的低溫多晶硅TFT已經應用于產品。作為研究結果，通過改進激光照射技術，載流子遷移率實現了超過500cm2/Vs的數值。
通過實現周邊驅動電路的一體化，能夠提高可靠性。這是因為可以大幅減少面板和驅動電路之間的電路連接數量的緣故。通過窄邊框化、輕量化以及增強耐振性，低溫多晶硅TFT有望用于便攜式信息終端。另外,由于電流驅動能力較高，還有望實現更高清晰度以及開口率較高的像素。
低溫多晶硅TFT的制造方法如下：首先在玻璃基板上利用等離子CVD形成非晶硅膜。然后，為提高TFT的性能（電壓一電流特性），使非晶硅形成結晶。一般情況下，通過在450℃以下的基板溫度下照射準分子激光來形成結晶。非晶硅膜因激光的能量瞬間融化凝固，因此會形成平均結晶粒徑為0.3μm左右的多晶硅。
由于可在低溫下形成多晶硅膜，因此能夠利用非晶硅TFT量產線上的多種設備。載流子遷移率達到200cm2/Vs的低溫多晶硅TFT已經應用于產品。作為研究結果，通過改進激光照射技術，載流子遷移率實現了超過500cm2/Vs的數值。
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